header

Old Time Radio - Die Seite für Sammler und Liebhaber alter Radiogeräte
 · Firmengeschichte(n)
 · Logos
 · Fernseher
 · Mikrofone
 · Plattenspieler
 · Abtastsysteme
 · Radios
 · Kofferempfänger
 · Tonband- und
 · Kassettengeräte

 · Magnetbandköpfe
 · UKW-Vorsetzer
 · Verstärker
 · TGL´s
 · RGW-Standards
 · Bauelemente
 · nach Werkstandards

 · Bauelemente
 · ohne Standards
 · Ostdeutsche
 · Rundfunksender

 · Ostdeutsche
 · Fernsehsender

 · Senderlogos
 · Deutsches Reich
 · DDR
 · BRD
 · Sammeln, aber wie?
 · Ein altes Radio betreiben?
 · Restaurieren
 · Kondensatoren
 · austauschen?
 · Schone Dein
 · Rundfunkgerät!

 · Bestimmung
 · des Baujahres

 · Gemeinschaftsem-
 · pfänger 1933 - 1945

 · DDR-Handy
 · Magnetbandköpfe
 · Tonabnehmer
 · TV-Normen
 · Wellenlängen und
 · Frequenzen

 · Schellack-Platten-Story
 · Tefi-Story
 · Antennen
 · Bücher, Literatur
 · Diverses
 · Lautsprecher
 · und Kopfhörer

 · Mikrofone
 · Militärische Geräte
 · Radio- und TV-Bauteile
 · Röhren
 · Rundfunkempfänger
 · Stromversorgung
 · Telefone
 · Tonspeichergeräte
 · Abtastsysteme (Nadel)
 · Tonträger
 · TV, Fernseh-Empfänger
 · Verstärker
 · Werkstattbedarf
 · Zubehör und
 · Vorsatzgeräte
 · Sammler
 · Museen
 · Handel
 · Linkangebot


Übersichtsliste über DDR-Standards zu elektronischen Bauelementen

Diese Liste dient der Übersicht zu den o.g. TGLs. Die Zusammenstellung erfolgte für Röhren, Dioden, Transistoren, Optoelektronik, ICs, Relais, Steckverbinder, Widerstände, Kondensatoren und einige tangierende Standards! Nicht berücksichtigt wurden Induktivitäten, Kabel, Transformatoren und hierfür benötigte Materialien. Diese Aufstellung erhebt keinen Anspruch auf Vollständigkeit! Die kostenlosen Quellen bieten aber eine hervorragende Möglichkeit, sich einen Überblick (nach Überschrift und Typangabe) über die meisten Standards dieser Kategorie zu schaffen. Kopien sind käuflich zu erwerben. Bitte im "INTERNET" nachschauen, da ich aus rechtlichen Gründen keine Angaben dazu machen kann!!!!

Widersprüchliche Angaben konnten wegen fehlender Standards (es handelt sich ja hierbei um Gesetzesblätter einer untergegangenen Epoche!!!) nicht aufgeklärt werden und wurden so, wie es die Quellen angaben, in die Liste eingearbeitet!

Sortierung nach aufsteigender Ordnungszahl:

TGL-Nr. Jahr Inhalt
200-3541/01 1963-10-00 Elektrische Nachrichtentechnik, HF-Steckvorrichtungen 75-1,8/6,2, Anschlussmaße
200-3603/01 1971-07-00 Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 2-32/23,5-44, 5x12, umschirmt, Stiftdurchmesser 1 mm, Hauptkennwerte
200-3603/02 1976-02-00 Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 2-32/23,5-44, 5x12, ungeschirmt, Stiftdurchmesser 2,5mm, Hauptkennwerte
200-3603/03 1967-12-00 Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 2-32/23,5-44x11, geschirmt, Hauptkennwerte
200-3603/05 1973-11-00 Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 2-32/23,5-44x11, Montageplatte
200-3603/06 1985-10-00 Kontaktbauelemente, Steckverbinder 2-32/23-44x11, Gehäuse, Flansch, Deckel, Zugentlaster, technische Bedingungen
200-3606/01 1966-09-00 Elektrische Informationstechnik, neutrale elektromagnetische Relais NOF über 50 bis 60cm3, Hauptkennwerte
200-3630 1971-11-00 Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 4/83x15 IP00, Hauptkennwerte
200-3633 1979-11-00 Kontaktbauelemente, Steckverbinder 1/14, technische Bedingungen
200-3796/01 1981-03-00 Elektrische Informationstechnik, neutrale elektromagnetische Relais NSF 30, Hauptmaße, Löteigenschaften, Lieferung
200-3796/02 1975-04-00 Elektrische Informationstechnik, neutrale elektromagnetische Relais NSF 30, Kennwerte für NSF 30.1 und NSF 30.6
200-3796/03 1975-04-00 Elektrische Informationstechnik, neutrale elektromagnetische Relais NSF 30, Kennwerte für NSF 30.2 und NSF 30.3
200-3796/04 1975-04-00 Elektrische Informationstechnik, neutrale elektromagnetische Relais NSF 30, Kennwerte für NSF 30.4 und NSF 30.5
200-3800 1985-09-00 Kotakt-Bauelemente, HF-Steckverbinder 2/6,6; Bajonettfesthaltung, technische Bedingungen
200-3819/01 1986-07-00 Kontaktbauelemente, Steckverbinder 7/25, Anschlussmaße
200-3819/02 1986-07-00 Kontaktbauelemente, Steckverbinder 7/25, technische Bedingungen
200-3820 1973-12-00 Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 8-31/50-90x10, Hauptkennwerte
200-7037/02 1981-12-00 Heimelektronik, UKW-Eingangsteil Typ 2 mit Drehkondensatorabstimmung, technische Forderungen
200-8002 1966-03-00 Elektronenröhren, Empfangerröhren EC 360
200-8004 1966-09-00 Elektronenröhren, Empfangerröhren EY 51
200-8011 1974-01-00 Halbleiterbauelemente, Germanium-Diodenpaar, 2 GA 109
200-8012   ZA 250/1 bis ZA 250/24
200-8013   GA 106 (OA 647) / GA 107 (OA 666)
200-8014   OA 601 / OA 602 / OA 603 / OA 604 / OA 605
200-8015 1982-06-00 Elektronenröhren, Senderöhre SRV 355, technische Bedingungen
200-8015 - 1. Änderung 1984-08-01 Elektronenröhren, Senderöhre SRV 355, technische Bedingungen
200-8018 1966-05-00 Elektronenröhren, Empfängerröhre EF 183
200-8019 1966-05-00 Elektronenröhren, Empfängerröhre EF 184
200-8020 1967-11-00 Elektronenröhren, Empfängerröhre PL 500
200-8022 1966-10-00 Elektronenröhren, Empfängerröhre PC 88
200-8023 1963-04-00 Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 4 S 2, Hauptkennwerte
200-8024 1967-05-00 Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 7 S 3, Hauptkennwerte
200-8025 1967-12-00 Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 13 S 7, Hauptkennwerte
200-8026 1965-11-00 Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 10 S 6, Hauptkennwerte
200-8041   Feste Drahtwiderstände, Baureihe 22; techniche Bedingungen
200-8042 1979-10-00 Feste und mechanische veränderbare Widerstände, feste Drahtwiderstände, Baureihe 84, technische Bedingungen
200-8043/02 1970-11-00 Festwiderstände, Drahtwiderstände, Baureihe 24
200-8077 1979-12-00 Feste und mechanische veränderbare Widerstände, veränderbare Drahtwiderstände, Baureihe 554, technische Bedingungen
200-8078 1970-12-00 Veränderbare Widerstände, Normallastdrahtdrehwiderstände, Hauptkennwerte
200-8080 1985-09-00 Kontaktbauelemente HF-Steckverbinder 1/3,3, Schraubenfesthaltung, technische Bedingungen
200-8127 1978-12-00 Halbleiterbauelemente, pnp-Hochfrequenztransistoren GF 145, technische Bedingungen
200-8128   501 – SZ 522
200-8129 1963-09-00 Elektronenröhren, Thyratron S1, 3/30 dV, Hauptkennwerte
200-8138   OA 900 / OA 901 / OA 902 / OA 903
200-8139   Selenamplitudenbegrenzer
200-8140 1978-11-00 Halbleiterbauelemente, Silizium-npn-Hochfrequenztransistoren SF 136 und SF 137,&xnbsp;technische Bedingungen
200-8141   OA 720 / OA 721 / OA 741 / OA 780 (GA 106 / GA 107)
200-8142 1981-03-00 Halbleiterbauelemente, SZX 18/1, SZX 18/5,6 bis SZX 18/33, SZX 19/5,1 bis SZX 19/33, technische Bedingungen
200-8143   OA 904 / OA 905
200-8144 1965-12-00 Elektronenröhren, Anzeigeröhre Z 560 M, Z 5600 M, Z 561 M und Z 5610 M
200-8146 1963-06-00 Elektronenröhren, dekadische Anzeigeröhre Z 565M, Hauptkennwerte
200-8149 1964-11-00 Elektronenröhren, Empfängerröhre für Spezialzwecke ECC 865
200-8151 1968-10-00 Elektronenröhren, Höchstfrequenzröhren, Reflexklystron HKR 902
200-8136 198012-00 Elektronenröhren, Drehanoden-Röntgenröhren DR 150/30/50 ö und DR 151/30/50 ö, technische Bedingungen
200-8137 1981-05-00 Elektronenröhren, Spektroskopie-Röntgenröhren FS Mo 60/35 ö und FS W 60/35 ö, technische Bedingungen
200-8138   OA 900 – OA 905 (Gleichrichterdioden kleiner Leistung)
200-8158 1963-04-00 Elektronenröhren, Empfängerröhre EYY 13, Hauptkennwerte
200-8159 1966-01-00 Elektronenröhren, Empfängerröhre ECC 813
200-8238   GD 150 / GD 160 / GD 170 / GD 175 / GD 180 (Germanium-pnp-Leistungstransistoren)
200-8240   GD 100 / GD 110 / GD 120 / GD 130 (Germanium-pnp-Leistungstransistoren)
200-8253   GS 100 (Germanium-pnp-Schalttransistor)
200-8276 1967-07-00 Festkondensatoren, Papier-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Forderungen, Prüfung und Lieferung
200-8277 1967-07-00 Festkondensatoren, Metallpapier-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Forderungen, Prüfung und Lieferung
200-8278/01 1976-12-00 Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Forderungen
200-8278/02 1975-12-00 Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren, Prüfung, Lieferung
200-8279 1974-08-00 Festkondensatoren, Tantal-Elektrolyt-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Forderungen, Prüfung und Lieferung
200-8281/01 1975-12-00 Festkondensatoren, Polystyrol-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Forderungen
200-8281/02 1975-12-00 Festkondensatoren, Polystyrol-Kondensatoren, Prüfung, Lieferung
200-8290   SC 100 / SC 103 / SC 104 / SS 101 / SS 102 (Silizium-p-n-p-NF-Transistor)
200-8292   OA 910 (Kapazitätsdiode)
200-8294/02 1967-12-00 Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Typ IB, Einfachkapazitäten, zylindrisch, axialer Drahtanschluss, Hochvolt, Hauptkennwerte
200-8302   Selenstabgleichrichter im HP-Rohr
200-8320   GF 140 / GF 141 / GF 142 / GF 143 (Germanium-p-n-p-HF-Transistor)
200-8328/02 1965-06-00 Magnetomechanische Bandfilter, Einseitenbandfilter MF 450 ñ E-0310, Hauptkennwerte
200-8329 1965-05-00 Halbleiterbauelemente, Diodenquartett 4 GA 114
200-8330 1967-09-00 Elektronenröhren, Ionisationsvakuummeterröhre MR 04
200-8332 1967-12-00 Elektronenröhren, Empfängerröhre EL 500
200-8336 1965-08-00 Halbleiterbauelemente, Halbleiterdioden-Paar 2 GA 113
200-8351 1968-04-00 Drehwiderstände, HF-Spannungsteiler, Hauptkennwerte
200-8352   GY 099 – GY 105 (Germanium-Gleichrichterdioden für Ströme bis 0,1 A)
200-8353   GY 109 – GY 115 (Germanium-Gleichrichterdioden für Ströme bis 1A)
200-8355   GA 108 / OA 686
200-8361   GY 120 – GY 125 (Germanium-Gleichrichterdioden für Ströme bis 10A)
200-8364   GAY 60 / GAY 61 / GAY 62 / GAY 63/ GAY 64 (Schaltdiode)
200-8365   SY 160 / SY 162 / SY 164 / SY 166 (Silizium-Gleichrichterdiode für Ströme bis 10 A)
200-8373 1965-11-00 Elektronenröhren, Leistungsschaltröhre Z 0,7/100U
200-8377   :GAZ 15 / GAZ 17 (Schaltdiode)
200-8379   GAZ 14 / GAZ 16 (Schaltdiode)
200-8385 1984-08-00 Elektronenröhren, Sendedoppeltetrode SRS 4453, technische Bedingungen
200-8389 1975-08-00 Halbleiterbauelemente, Germanium-pnp-Schalttransistoren GS 109, GS 111, GS 112
200-8390   GF 100 / GF 105 (Germanium-pnp-HF-Transistor)
200-8391 1975-08-00 Halbleiterbauelemente, Germanium-pnp-Niederfrequenztransistoren GC 100 und GC 101
200-8392   GC 115 / GC 116 / GC 117 / GC 118 (Germanium-pnp-NF-Transistor)
200-8393   GC 120 / GC 121 / GC 122 / GC 123 (Germanium-pnp-NF-Transistor)
200-8394   SY 100 – SY 130 (Silizium-Gleichrichterdiode für Ströme bis 1A)
200-8398   SY 200 – SY 210 (Silizium-Gleichrichterdiode für Ströme bis 1A)
200-8399   SF 131 / SF 132
200-8405 1974-12-00 Elektronenröhren, Senderöhre SRS 326
200-8406 1965-12-00 Elektronenröhren, Senderöhre SRS 302
200-8408 1965-12-00 Elektronenröhren, Verstärkertriode VRS 328
200-8409 1965-12-00 Elektronenröhren, Verstärkertriode VRS 331
200-8410 1968-10-00 Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 7 S 4
200-8413 1969-12-00 Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 10 S 4
200-8419   SF 121 / SF 122 / SF 123
200-8423 1985-07-00 Festkondensatoren, Polystyrol-Zwillings-Kondensatoren freitragend, technische Bedingungen
200-8427 1981-03-00 Festkondensatoren, Polystyrol-Kondensatoren im zylindrischen Metallgehäuse mit Drahtanschluss,&xnbsp;technische Bedingungen
200-8430 1971-11-00 Elektronenröhren, Empfängerröhren PFL 200
200-8439 1983-12-00 Halbleiterbauelemente, Silizium-npn-Hochfrequenz-Transistoren SF 126 bis SF 129C und 129D,&xnbsp;technische Bedingungen
200-8441 1966-09-00 Elektronenröhren, Empfängerröhre DY 51
200-8442 1985-06-00 Halbleiterbauelemente, Widerstände für Zündzwecke, technische Bedingungen
200-8444 1970-12-00 Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 13 S 8
200-8447/01 1971-04-00 Festkondensatoren, metallisierte Polycarbonatfolie-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Bedingungen, Prüfung und Lieferung
200-8447/02 1978-10-00 Festkondensatoren, metallisierte Polycarbonatfolie-Kondensatoren MKC 1, zylindrische mit axialen Drahtanschlüssen, technische Bedingungen
200-8448 1967-09-00 Elektronenröhren, Grobstruktur-Röntgenröhre GE 200/8ö
200-8451 1984-08-00 Elektronenröhren, Sendetetrode SLR 460, technische Bedingungen
200-8466 1982-07-00 Halbleiterbauelemente, Schaltdioden SAY 30, SAY 32, SAY 40, SAY 42, SAY 50, SAY 52, SAY 60, SAY 62, technische Bedingungen
200-8469   GP 119 / GP 120 / GP 121 / GP 122 (Photodioden)
200-8473 1967-12-00 Elektronenröhren, Magnetron HMI 942
200-8474 1967-11-00 Elektronenröhren, Anzeigeröhre Z 570 M und Z 5700 M
200-8486 1981-03-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände, feste Schichtwiderstände Baureihe 145, technische Bedingungen
200-8491 1969-12-00 Drehwiderstände, Einfach-Schichtwiderstände mit gerändelter Kunststoffwelle, Kenngröße 2, 4 und 8, Hauptkennwerte
200-8493/01 1977-12-00 Einstellbare Kondensatoren, Keramik-Trimmerkondensatoren Nennspannung 400V, technische Bedingungen
200-8493/02 1968-09-00 Scheibentrimmer, Nenngleichspannung 250V, Hauptkennwerte
200-8506 1968-04-00 Elektronenröhren, Kaltkatoden - Relaisröhre Z 865 W
200-8510 1968-09-00 Elektronenröhren, Empfängerröhre PL 504
200-8511 1986-03-00 Kontaktbauelemente, Steckverbinder 13/60, technische Bedingungen
200-8512 1967-12-00 Festwiderstände, Schichtwiderstände, Baureihe 19
200-8513 1979-11-00 Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Typ IA, Einfachkapazitäten, zylindrisch axialer Drahtanschluss,Hochvolt, technische Bedingungen
200-8514 1979-12-00 Festkondensatoren,Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Typ IA, Einfachkapazitäten, zylindrische Schraub- und Flachsockel, einseitiger Lötfahnenanschluss, Hochvolt, technische Bedingungen
200-8515 1979-12-00 Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Typ IA, Mehrfachkapazitäten, zylindrische Schraubsockel, einseitiger Lötfahnenanschluss, Hochvolt, technische Bedingungen
200-8519 1986-02-00 Festkondensatoren, Tantal-Festkörper-Kondensatoren, zylindrisch, hermetisch dicht, technische Bedingungen
200-8520 1969-04-00 Halbleiterbauelemente, Germanium-pnp-Niederfrequenz, Leistungs-Transistoren GD 240, GD 241, GD 242, GD 243 und GD 244
200-8533   SAY 10 / SAY 11 / SAY 14 / SAY 15 (Schaltdioden)
200-8543 1969-05-00 Elektronenröhren, Stabilisatorröhren SStR 85/5
5151/01 1975-12-00 Festkondensatoren; Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren TYP 2A, zylindrisch, Schraubsockel, einseitiger Lötfahnenanschluss, Niedervolt; Hauptkennwerte
5155 1982-08-00 Festkondensatoren; Polystyrol-Kondensatoren exzentrisch axial; Technische Bedingungen
7198 1986-03-00 Festkondensatoren; Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren; zylindrisch, axiale Anschlussdrähte, Niedervolt, Typ 2A; Technische Bedingungen
8095 1966-01-00 Halbleiterelemente; Germanium-Dioden; 0A 625, 0A 645, 0A 665, 0A 685, 0A 705; GA 100, GA 101, GA 102, GA 103, GA 104
8096 1974-01-00 Halbleiterbauelemente; Germanium-Diode; GA 105
8098   OC 816 / OC 817 / OC 818 / OC 820 / OC 821 / 2 OC 821 / OC 822 / OC 823
8728/01 1987-04-00 Feste Widerstände für die Anwendung in elektronischen Geräten; Feste Schichtwiderstände Baureihe 25; Technische Bedingungen
8728/02 1982-12-00 Feste und mechanische Widerstände; Feste Schichtwiderstände Baureihe 250; Technische Bedingungen
8751 1975-04-00 Festkondensatoren; Metallpapier-Kondensatoren; Mehrfachkapazitäten, Prismatisch; Kleinreihe
8754 1981-09-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; veränderbare Drahtwiderstände Baureihen 434, 444 und 474; Technische Bedingungen
8836/01 1989-05-00 Heimelektronik; Hörrundfunkempfangsgeräte und -kombinationen; Allgemeine technische Bedingungen
8836/02 1977-09-00 Elektronische Heimgeräte, Hörrundfunkempfänger; Technische Bedingungen für Reiseempfänger und Reiseempfängerkombinationen
8836/04 1975-12-00 Elektronische Heimgeräte, Hörrundfunkempfänger; Typprüfung, Allgemeine Angaben und Prüfbedingungen
8836/05 1974-12-00 Heimelektronik; Hörrundfunkempfänger; Typprüfung, Allgemeine Angaben und Prüfbedingungen
8836/09 1974-12-00 Heimelektronik; Hörrundfunkempfänger; Akustische Prüfungen
8837 1988-12-00 Autoempfänger, Autokassenradios und -kassengeräte in Kraftfahrzeugen; Einbaumaße und –bedingungen
8838/01 1979-02-00 Heimelektronik; Fernsehrundfunkempfänger; Technische Bedingungen
8838/02 1979-02-00 Heimelektronik; Fernsehrundfunkempfänger; Allgemeine Prüfbedingungen für die Typprüfung
8838/03 1979-02-00 Heimelektronik; Fernsehrundfunkempfänger; Typprüfung
8838/06 1984-07-00 Elektronische Heimgeräte; Fernsehrundfunkempfänger; Sicherheitstechnische Forderungen für Arbeiten in Laboratorien, Werkstätten, Prüffeldern, an Prüf- und Reparaturplätzen
9089 1979-11-00 Festkondensatoren; Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren; Typ 2A mit Lötstiften, Hochvolt für gedruckte Schaltungen; Technische Bedingungen
9100 1985-11-00 Veränderbare Schichtwiderstände, Baureihe 635 (Baureihe 645 identisch, aber mit zweipoligem Drehschalter) und Baureihe 685 (Baureihe 695 identisch, aber mit zweipoligem Drehschalter); technische Bedingungen
9102   Veränderbare Schichtwiderstände (Doppelpotientiometer), Baureihe 725 (Baureihe 735 identisch, aber mit zweipoligem Drehschalter); technische Bedingungen
9103 1982-03-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 575 und 605; Technische Bedingungen
9463 1986-01-00 Elektronenröhren; Sendetriode SRL 351; Technische Bedingungen
9467 1984-08-00 Elektronenröhren; Sendetriode SRL 353; Technische Bedingungen
9468 1984-08-00 Elektronenröhren; Sendetriode SRL 354; Technische Bedingungen
9479 1984-08-00 Elektronenröhren; Sendetriode SRL 457; Technische Bedingungen
9480 1988-11-00 Elektronenröhren; Sendetriode SRL 459; Technische Bedingungen
10002 1985-08-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 0,2 A mit 2 Kontakten; Technische Bedingungen
10003 1985-08-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 0,2 A 2 mit 11 Kontakte; Technische Bedingungen
10004 1985-08-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 0,2 A bis 2 x 6 Kontakte; Technische Bedingungen
10005 1985-08-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 0,2 A bis 4 x 3 Kontakte; Technische Bedingungen
10006 1980-03-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 2 A bis 5 Kontakte; Technische Bedingungen
10007 1980-03-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 2 A 6 bis 9 Kontakte; Technische Bedingungen
10008 1980-03-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 2 A 10 bis 15 Kontakte; Technische Bedingungen
10009 1980-03-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 2 A 16 bis 24 Kontakte; Technische Bedingungen
10010 1985-12-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 4 A bis 11 Kontakte; Technische Bedingungen
10011 1985-12-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 6 A bis 7 Kontakte; Technische Bedingungen
10012 1985-12-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 10 A bis 7 Kontakte; Technische Bedingungen
10013 1985-12-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 4 A bis 36 Kontakte; Technische Bedingungen
10014 1985-12-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 6 A bis 24 Kontakte; Technische Bedingungen
10015 1985-12-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 10 A bis 24 Kontakte; Technische Bedingungen
10016 1985-12-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 4 A bis 57 Kontakte; Technische Bedingungen
10017 1985-12-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 6 A bis 37 Kontakte; Technische Bedingungen
10018 1985-12-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 10 A bis 37 Kontakte; Technische Bedingungen
10118 1978-12-00 Elektronenröhren; Diagnostik-Röntgenröhren DE 50/5 ö; technische Bedingungen
10119 1978-12-00 Elektronenröhren; Diagnostik-Röntgenröhren DE 60/10 ö; technische Bedingungen
10128 1980-12-00 Elektronenröhren; Diagnostik-Röntgenröhren DE 125/30/50 ö; technische Bedingungen
10395/01 1978-11-00 Kontaktbauelemente; Steckverbinder 8-30/47-8 3x20; IP 00 Messerbreite 3 mm; Technische Bedingungen
10395/02 1978-11-00 Kontaktbauelemente; Steckverbinder 8-30/47-8 3x20; IP 00 Messerbreite 2,5 mm; Technische Bedingungen
10790/02 1972-02-00 Festkondensatoren; Metallpapier-Kondensatoren; zylindrisch mit Drahtanschluss dicht; Hauptkennwerte
10793/02 1976-09-00 Festkondensatoren; Lack-Kondensatoren MKL 2; zylindrisch mit axialen Drahtanschlüssen
10793/03 1978-12-00 Festkondensatoren; Lack-Kondensatoren MKL 3; prismatisch; Technische Bedingungen
10822 1985-08-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 1A bis 12 Kontakte; Technische Bedingungen
10825 1978-04-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 1,5 A bis 8 Kontakte; Technische Bedingungen
11054   OC 824 / OC 825 / OC 826 / OC 827 / OC 828 / OC 829
11055   O4A657 (Universal-Diodenquartett)
11886   Veränderbare Schichtwiderstände (Einstellbare Kohleschichtwiderstände in offener Bauform), Baureihe 585 und 595; technische Bedingungen
11887   Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 645 und 695; technische Bedingungen
11901   Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 735; technische Bedingungen
11902   Veränderbare Schichtwiderstände (Tandempotentiometer) der Baureihen 655 und 705; technische Bedingungen
12216   Feste Schichtwiderstände (Festwertschichtwiderstände für den Einsatz bei hohen Frequenzen), Baureihe 33 (axiale Form, kappenlos, axial bedrahtet); technische Bedingungen
12221 1987-04-00 Halbleiterbauelemente; Selengleichrichter in Freiflächenbauart, technische Bedingungen
12536   OC 870 / OC 871 / OC 872
13782   SF 357 / SF 358 / SF 359 (siehe auch TGL 32651)
14122/02 1979-12-00 Festkondensatoren; Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Typ IB; Hochvolt; technische Bedingungen
14281/03 1986-03-00 Thermistoren; Heißleiter; Heißleiter für Kompensationszwecke mit Drahtanschluss; technische Bedingungen
14846 1984-12-00 Elektrische Nachrichtentechnik; Buchsenteile; 30-40/200 x 12 IP 00
14893 1987-07-00 Elektronenröhre, Empfängersperröhre HSE 952, technische Bedingungen
14975   2 OA 646
14976   OA 722 / OA 723
14977   OA 647 / OA 666
14978   OA 601 / OA 602 / OA 603 / OA 604
14979   OA 605 (ZA 250/5; ZA 250/6; ZA 250/7; ZA 250/8; ZA 250/9)
14980   OA 900 / OA 901 / OA 902 / OA 903
23223/07 1989-03-00 Mechanische Frequenzfilter, Elektrochemische Bandfilter, Monolithische piezokeramische Bandfilter für Ton-ZF, 5,5 6,0 und 6,5 MHz, Technische Bedingungen
24099/01 1972-09-00 Keramik-Kleinkondensatoren, Scheibenkondensatoren rund, Typ IB, Nennspannung 250 V, Hauptkennwerte
24099/02 1972-09-00 Keramik-Kleinkondensatoren, Scheibenkondensatoren rund, Typ II, Nennspannung 250 V, Hauptkennwerte
24100/03 1976-05-00 Keramik Kleinkondensatoren, Scheibenkondensatoren rechteckig, Qualitätskennziffern und Bewertung
24101/02 1974-04-00 Keramik-Kleinkondensatoren, Durchführungskondensatoren mit Schraubbefestigung, Typ II, Hauptkennwerte
24102/01 1976-04-00 Festkondensatoren, Keramik-Mehrschichtkondensatoren, Typenreihe K 10-9, Technische Forderungen, Lieferung
24102/02 1976-04-00 Festkondensatoren, Keramik-Mehrschichtkondensatoren, Typenreihe K 10-9, Prüfung
24165/14 1984-04-00 Elektronenröhren, Fotovervielfacher M4 FC 520, Technische Bedingungen
24165/01 1979-06-00 Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Allgemeine technische Bedingungen
24165/05 1982-03-00 Elektronenröhren, Fotovervielfacher, M 11 FVC 520, M 11 FVC 521, Technische Bedingungen
24165/07 1985-11-00 Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typgruppe 10-29, Technische Bedingungen
24165/08 1985-11-00 Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typgruppe 12-52, Technische Bedingungen
24165/09 1985-11-00 Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typgruppe 12-35, Technische Bedingungen
24165/10 1985-11-00 Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typgruppe 3-19, Technische Bedingungen
24165/11 1985-11-00 Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typgruppe 10-19, Technische Bedingungen
24165/12 1977-11-00 Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typenreihe 10-30
24165/13 1977-12-00 Elektronenröhren, Fotovervielfacher, M 11 FVS 300, Technische Bedingungen
24187 1969-12-00 Elektronenröhren, Impulsmagnetron HMI 954
24197/01   Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Begriffe
24197/02   Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; technische Bedingungen
24197/03   Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Nenngröße
24285 1989-01-00 Halbleiterbauelemente, Siliziumgleichrichterdioden SY 170 und SY 171, Technische Bedingungen
24341 1978-10-00 Halbleiterbauelemente, npn-Hochfrequenztransistor SF 240, Technische Bedingungen
24546 1982-07-00 Halbleiterbauelemente, Schaltdioden, SAM 42 bis SAM 45, SAM 62 bis SAM 65, Technische Bedingungen
24589/11 1981-12-00 Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKG 1302, Technische Bedingungen
24589/02 1981-09-00 Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, Allgemeine technische Bedingungen
24589/06 1986-12-00 Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKR 2001, Technische Bedingungen
24589/07 1981-12-00 Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKR 3601, Technische Bedingungen
24589/08 1982-03-00 Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKR 2701, Technische Bedingungen
24589/09 1982-05-00 Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKR 1301, Technische Bedingungen
24589/10 1981-09-00 Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKG 2703, Technische Bedingungen
24683 1987-05-00 Kontaktbauelemente, Steckverbinder 6/10 und 32/22, Anschlussnahme
24685 1988-03-00 Kontaktbauelemente, Steckverbinder 6/10, Technische Bedingungen
24687 1988-10-00 Kontaktbauelemente, Steckverbinder 32/22, Technische Bedingungen
24726   SF 245
24742   SM 103 / SM 104
24925 1979-12-00 Halbleiterbauelemente, Selen-Klammergleichrichter, Technische Bedingungen
24926   Selenblockgleichrichter im Metallgehäuse
24927   Selenkleinstgleichrichter
24928/01 1980-03-00 Halbleiterbauelemente, Selen-Hochspannungsgleichrichter, Stabgleichrichter in Keramikrohr, Technische Bedingungen
24928/02 1981-03-00 Halbleiterbauelemente, Selen-Hochspannungsgleichrichter, Stabgleichrichter in Plastrahmen, Technische Bedingungen
24931 1980-06-00 Halbleiterbauelemente, Selen-Stabilisatoren, Technische Bedingungen
24952 1978-11-00 Halbleiterbauelemente, Silizium-npn-Schalttransistoren SSY 20 und SSY 21, Technische Bedingungen
25180 1987-05-00 Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 1,6/ 9,7, Bajonettfesthaltung, Technische Bedingungen
25182 1987-12-00 Ultraschallverzögerungsleitungen 64 µs für Farbfernsehempfänger, Technische Bedingungen
25184   SAY 12 / SAY 16 / SAY 17 / SAY 18 / SAY 20
25186 1985-07-00 Elektronenröhren, Endikon F 2,5 M 3 UR, Endikon F 2,5 M3 aUR, Technische Bedingungen
25289   ST 121/1 … /12 (Silizium-Thyristor mittlerer Leistung 23A)
25603/02 1980-04-00 Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 7/16, Schraubfesthaltung, Technische Bedingungen
25604 1982-08-00 Festkondensatoren, Polyester-Kondensatoren, zylindrisch für gedruckte Schaltung, Technische Bedingungen
25652   U 101 D
25653   U 102 D
25654   U 103 D
25655   U 104 D
25656   U 105 D
25733   ST 111/1 … /12 (Silizium-Thyristor mittlerer Leistung 13A)
25734   SZ 600-Reihe (Silizium-Leistungs-Z-Diode)
25763   SY 250/0,5 …. 10 (Silizium-Gleichrichterdiode für Ströme bis 250A)
25916   SF 150
26152   D 100 D / E 100 D / D 110 D / E 110 D / D 120 D / E 120 D / D 130 D / E 130 D / D140 D / E 140 D
26153   D 150 D / E 150 D / D 151 D / E 151 D / D 153 D / E 153 D / D 154 D / E154 D
26154   Selenblockgleichrichter im Plastgehäuse
26172   U 106 D
26173 1978-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Logikschaltkreis U 107 D, Technische Bedingungen
26174   U 108 D
26175   U 109 D
26176   UB 880 D / VB 880 D / UA 880 D
26177 1978-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer statischer 5-Bit-Schiebe-Register-Schaltkreis U311 D, Technische Bedingungen
26178 1978-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Serienspeicherschaltkreis U 352 D, Technische Bedingungen
26187   U 352 D (dynamischer 64-bit-Serienspeicher)
26432   SMY 50
26525 1985-09-00 Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 8/28, Schraubfesthaltung, Technische Bedingungen
26526/01 1981-05-00 Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 13/50, Schraubfesthaltung, Wellenwiderstand 50 Ohm, Anschlussmaße
26526/02 1981-05-00 Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 13/50, Schraubfesthaltung, Technische Bedingungen
26529   SMY 51
26530   SMY 52
26629 1977-12-00 Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren, Prismatisch, für gedruckte Schaltung, Technische Bedingungen, Typ II
26713   B 460 G
26818 1978-12-00 Halbleiterbauelemente, npn-Schalttransistoren, SS 216, SS 218 und SS 219, Technische Bedingungen
26819/1   SF 215 / SF 216
26820   SY 180 / SY 180A
26838 1980-10-00 Kontaktbauelemente HF-Steckverbinder 11/39, 22/77, 34/120 Flanschfesthaltung, Wellenwiderstand 75 Anschlußmaße
26906/01 1980-02-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände, Veränderbare Drahtwiderstände, Baureihe 490, Technische Bedingungen
26906/02 1977-06-00 Widerstände, Veränderbare Drahtwiderstände, Baureihe 490, Kenngrößen 490.2151; 490.2159; 490.2171; 490.0209 und 490.0211
26906/03 1977-06-00 Widerstände, Veränderbare Drahtwiderstände, Baureihe 490, Kenngrößen 490.0408; 490.0409; 490.0411; 490.0413; 490.0415 und 490.0416
26915 1976-12-00 Mikroelektronik. Monolitisch integrierte NAND-Schaltkreise K 158 LA 3, K 158 LA 4, K 158 LA 1 und K 158 LA 2
26980 1988-04-00 Festkondensatoren, Kunststofffolie-Kondensatoren, metallisiert, Polyester-Kondensatoren (MKT) für Gleichstrom Klasse 1 und Klasse 2, Allgemeine technische Bedingungen
27141/1   SC 206 / SC 207
27143   SS 200 / SS 201 / SS 202
27144 1978-11-00 Halbleiterbauelemente, Silizium-npn-Schalttransistoren, SS 106, SS 108 und SS109, Technische Bedingungen
27145 1978-10-00 Halbleiterbauelemente, npn-Hochfrequenztransistor, SF 225, Technische Bedingungen
27146 1978-10-00 Halbleiterbauelemente, npn-Hochfrequenztransistor, SF 235, Technische Bedingungen
27147 1978-10-00 Halbleiterbauelemente, npn-Hochfrequenztransistor, SC 236 bis SC 239, Technische Bedingungen
27148   D 103 D / E 103 D / D 126 D / E 126 D / D 151 D / E 151 D / D 154 D / E 154 D / D 160D / E 160 D
27231 1985-09-00 Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 2/6,6,Schraubfesthaltung, Technische Bedingungen
27338 1985-11-00 Halbleiterbauelemente, Z-Dioden, SZX 21/1, SZX 21/5,1 bis SZX 21/24, Technische Bedingungen
27423   Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 513 und 523; technische Bedingungen
27616/01 1985-06-00 Heimelektronik, Tonbandgeräte, Allgemeine technische Bedingungen
27616/03 1985-08-00 Heimelektronik, Tonbandgeräte, Prüfung
27617/03 1985-11-00 Heimelektronik, Schallplatten-Abspieleinrichtungen, Prüfung
27617/03 - 1. Änderung 1988-02-10 Heimelektronik, Schallplatten-Abspieleinrichtungen, Prüfung
27874   Feste Schichtwiderständen (Festwertschichtwiderstände für hohe Nennverlustleistungen), Baureihe 81; technische Bedingungen
27940 1981-12-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände, Veränderbare Schichtwiderstände, Baureihe 455, Technische Bedingungen
27975   SAL 41 / SAL 43 / SAL 45 (Schaltdioden)
27977   D 172 D / E 172 D
28109   A 281 D
28220   ST 103
28364 1989-06-00 Halbleiterbauelemente; Schalterdiode SA 412; Technische Bedingungen
28462   D 200 D / D 210 D / D 220 D / D 230 D
28466 1981-11-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare Speicher-Schaltkreise D 181 C / E 181 D und S 181 D; Technische Bedingungen
28467 1981 D 195 D / E 195 D
28468 1981-11-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare Speicher-Schaltkreise D 191 C, D 191 D, E 191 C und E 191 D; Technische Bedingungen
28597 1973-09-00 Elektrische Informationstechnik; Steckverbinder 12-26/19,6-38x13 IP00; Griffschalen, Streckplatten, Bügel
28660/01 1987-05-00 Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Allgemeine technische Bedingungen
28660/02 1977-06-00 Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Technische Forderungen für HiFi-UKW-Empfangsteile
28660/03 1982-12-00 Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Technische Bedingungen für Schallplatten-Abspieleinrichtungen
28660/04 1987-05-00 Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Technische Bedingungen für Tonbandgeräte
28660/05 1985-04-00 Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Technische Bedingungen für NF-Verstärker
28660/06 1980-12-00 Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Gehäuselautsprecher, Einbaulautsprecher, Technische Forderungen, Mess- und Prüfmethoden
28660/11 1982-12-00 Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Technische Bedingungen für Schallplatten- Abtastsysteme
28813 1978-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare NAND-Schaltkreise D 200 C, D 210 C, D 220 C, D 230C, D 200 D, D 210 D, D 220 D und D 230 D; Technische Bedingungen
28814   D 240 D
28815   D 251 D
28816   D 274 D
28818 1979-09-00 Halbleiterbauelemente; Siliziumgleichrichterdioden SY 320; Technische Bedingungen
28873 1981 A 109 D / B 109 D
28874 1985-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare Komparator- Schaltkreise A 110 D und B 110 D; Technische Bedingungen
29053 1981 SA 418
29107   A 211 D
29108 1984 A 281 D
29247 1989-06-00 Halbleiterbauelemente; Schaltdiode SA 403; Technische Bedingungen
29263 1981 D 204 D
29264 1981 D 254 D
29265 1981-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare BCD-ZU-7-Segment-Dekoder-Schaltkreise D 146 C, D 147 C, E 147 C, D 146 D, D 147 D und E 147 D; Technische Bedingungen
29266   D 174 D / E 174 D
29267 1981-11-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare BCD-ZU-7-Segment-Dekoder-Schaltkreise D 192 C, D 192 D, E 192 C, E 192 D, D 193 C, D 193 D, E 193 C und E 193 D; Technische Bedingungen
29363   D 201 D / D 204 D
29364   D 254 D
29270 1987-11-00 Halbleiterbauelemente; Siliziumgleichrichter in Freiflächenbauart mit SY 170, SY 171
29330 1975-02-00 Mikroelektronik; Monolithischer Integrierter Leseverstärker-Schaltkreis D122 C und D 123 C
29331/01 1984-12-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 7-90-48-128 x 13; Technische Bedingungen
29331/02 1975-12-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Verteilerleisten 30-87/88 x 9,5
29331/03 1988-02-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 15-90/88-128 x 13,5; Technische Bedingungen
29331/04 1977-12-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 5-39/28-48 x 13,5; Technische Bedingungen
29331/04 - 1. Änderung 1983-03-31 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 5-39/28-48 x 13,5; Technische Bedingungen
29331/05 1988-08-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Montageleisten 3-8/28-88 x 13,5; Technische Bedingungen
29331/06 1977-05-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 10-33/88 x 13,5,;Technische Bedingungen
29331/06 - 1. Änderung 1983-03-31 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 10-33/88 x 13,5; Technische Bedingungen
29331/07 1977-09-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 3-8/28-88 x 13,5; Technische Bedingungen
29331/08 1983-05-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Zubehörteile, Technische Bedingungen
29331/09 1978-08-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Hilfswerkzeuge, Technische Bedingungen
29331/12 1982-10-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 4-6/12,5 x 7,5, Technische Bedingungen
29331/13 1979-08-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 44/88 x 13,5, Technische Bedingungen
29331/14 1987-03-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 41/88 x 13,5, Technische Bedingungen
29475 1976-12-00 Mikroelektronik. Monolithisch integrierte AND-NOR-Schaltkreise K 158 LR 1 und K 158 LR (ältere Ausgabe)
29475 1981 E 126 D (jüngere Ausgabe (Fkt. Ident.)
29509   SA 418
29954   ST 108
29955   VK 11 / VK 12 / VK 15
29958   U 821 D (Rechnerschaltkreis)
29969 1979-10-00 Halbleiterbauelemente; SI- Fotodioden SP 101 bis SP 103; Technische Bedingungen
31243   VQA 12
31245 1979-10-00 Halbleiterbauelemente. Lichtemitteranzeigen VQB 71, VQB 73. Technische Bedingungen
31281/01 1975-12-00 Einstellbare Kondensatoren; Keramik-Trimmerkondensatoren; Begriffe, Technische Forderungen, Lieferung
31281/02 1975-12-00 Einstellbare Kondensatoren; Keramik-Trimmerkondensatoren; Prüfung
31296 1986 SU 160
31298 1982-01-00 Halbleitebauelemente. Infrarotemitterdiode VQ 110. Technische Bedingungen
31299 1978-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Programmwahlschalkreis U 700 D; Technische Bedingungen
31427/01 1976-04-00 Kontaktbauelemente; Steckverbinder der Rechentechnik; Steckbinder 20-135/27, 2-132,5 x 12,6
31427/01 - 1. Änderung 1984-04-26 Kontaktbauelemente; Steckverbinder der Rechentechnik; Steckbinder 20-135/27, 2-132,5 x 12,6
31427/02 1976-04-00 Kontaktbauelemente; Steckverbinder der Rechentechnik; Steckbinder 46-90/132-140 x 10,2
31427/02 - 1. Änderung 1980-01-31 Kontaktbauelemente; Steckverbinder der Rechentechnik; Steckbinder 46-90/132-140 x 10,2
31427/03 1978-08-00 Kontaktbauelemente; Steckverbinder der Rechentechnik; Griffelemente, Technische Bedingungen
31428 1986-07-00 Kontaktbauelemente; Steckverbinder 5/21; Technische Bedingungen
31428/01 1975-12-00 Kontaktbauelemente; Steckverbinder 5/21. Anschlussmaße
31428/02 1975-12-00 Kontaktbauelemente; Steckverbinder 5/21. Hauptkennwerte
31429 1975-12-00 Festkondensatoren. Polyester - Kondensatoren zentrisch axial. Hauptkennwerte
31453   A 220 D
31456   A 205 D / A 205 K
31457   A 230 D
31459   A 240 D
31461 1983-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare Initiator Schaltkreise A 301 D und A 301 W; Technische Bedingungen
31462 1978-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare Initiator Schaltkreise D 491 D und D 492 W; Technische Bedingungen
31463   A 250 D
31685   SU 165 (Si-npn-Leistungsschalttransistor)
31905   SY 330
31906   SY 335
31053   U 705 D
32054 1977-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Decoder- Schaltkreis U 711 D; Technische Bedingungen
32055 1978-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Decoder- Schaltkreis U 121 D und U 122 D; Technische Bedingungen
32056   U 710 D
32058 1978-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise. Unipolarer Mikroprozessor-Schaltkreis U 808 D. technische Bedingungen
32060 1978-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise;Unipolarer Decoder- Schaltkreis U 253; Technische Bedingungen
32114 1982-01-00 Halbleiterbauelemente; optoelektronischer Koppler MB 101; Technische Bedingungen
32115   SP 201
32116 1987-11-00 Halbleiterbauelemente; Fototransistor SP 211; Technische Bedingungen
32339   SAY 73
32414 1987-06-00 Feste und mechanische veränderbare Widerstände; Dickfilmschaltkreise Baureihe 483; Technische Bedingungen
32422 1984-03-00 Kontaktbauelemente; Miniaturdrehschalter für starre Leiterplatten; Technische Bedingungen
32441 1983-10-00 Elektrische Informationstechnik; Relais mit Schutzrohrkontaktsystemen RGK 20/1 und RGK 20/2
32442 1976-12-00 Elektrische Informationstechnik. Neutrales elektromagnetisches Relais GBR 111
32533 1978-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Frequenzteilerschaltkreis U 112 D; Technische Bedingungen
32537 1988 A 302 D
32648 1984 E 104 D, E 108 D
32649 1976-12-00 Mikroelektronik. Monolithisch integrierter J-L-Flip-Flop-Schaltkreis K 158 TW 1
32650 1987 A 244 D
32651 1984 SF 357 / SF 358 / SF 359
32874 1984-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Festwertspeicherschaltkreis U551D; Technische Bedingungen
32944   SMY 60 (Si-Doppel-MOS-FET vom p-Kanal-Anreicherungstyp)
32988   VQA 13 (TGL ersetzt durch 38468)
32989 1979-03-00 Halbleiterbauelemente; Lichtemitteanzeige VQB 37; Technische Bedingungen
32990   SY 185
33015   U 111 D
33554   SU 161 (Si-npn-Leistungsschalttransistor)
33555   SD 168
33965   Kunststofffolie-Kondensatoren, prismatisch; technische Bedingungen
34064 1987-06-00 Feste uns mechanische veränderbare Widerstände; Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 583 und 593; Technische Bedingungen
34151 1977-04-00 Halbleiterbauelemente. Tunneldioden AI 301 A, B, W, G. Technische Bedingungen
34158 1980-01-00 Halbleiterbauelemente; Silizium - Dual - Gate - MOS - Feldeffekttransistoren KP 306 A, B, W; Technische Bedingungen
34160 1983-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolarer Zeitgeber- Schaltkreis B 555 D; Technische Bedingungen
34160 - 1. Änderung 1987-04-20 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolarer Zeitgeber-Schaltkreis B 555 D; Technische Bedingungen
34163   KT 805
34164   KT 326
34166   KT 802
34167 1977-12-00 Halbleiterbauelemente; Silizium - Sperrschicht - Feldeffekttransistoren KP 303 A, B, W, G, D, E, SH, I; Technische Bedingungen
34168 1984 A 290 D
34169 1976-12-00 Mikroelektronik. Monolithisch bipolare NAND-Schaltkreise K 1 LB 553, K 1 LB 554, K 1 LB 551, K 1 LB 552 und K 1 LB 556 (neue Bezeichnung: K155LB3, K155LB4, K155LB1, K155LB2, K155LB6)
34170 1976-12-00 Mikroelektronik. Monolithisch bipolare AND-NOR-Schaltkreise K 1 LR 551 und K 1 LR 553 (neue Bezeichnung: K155LR1, K155LR3)
34171 1976-12-00 Mikroelektronik. Monolithisch bipolaren Expander-Schaltkreis K 1 LP 551 (neue Bezeichnung: K155LP1)
34172 1976-12-00 Mikroelektronik. Monolithisch bipolarer J-K-Flop-Schaltkreis K 1 TK 551 (neue Bezeichnung: K155TK1)
34173 1976-12-00 Mikroelektronik. Monolithisch bipolarer J-K-Flop-Schaltkreis K 1 TK 552 (neue Bezeichnung: K155TK2)
34177   KT 803
34701 1989 SP 104
34766 1979-09-00 Halbleiterbauelemente; Lichtemitteranzeigeeinheit VQD 30; Technische Bedingungen
34815 1982-03-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Festwertspeicherschaltkreis U 505 D; Technische Bedingungen
34816 1986-04-00 Halbleiterbauelemente; Lichtemitterdiode VQA 15; Technische Bedingungen
34817   VQA 23 (ersetzt durch TGL 38468)
34818   VQA 33 (ersetzt durch TGL 38468)
34827   KT 911
34830   KT 904
34831   KT 603
35149 1977-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Monolithischer Bipolarer Ton- ZF- Verstärker- Schaltkreis A 223 D; Technische Bedingungen
35151   A 231 D
35169 1977-10-00 Kontaktbauelemente. Steckverbinder 4-9/34,5-46,5 x 28
35170 1988-04-00 Halbleiterbauelemente; optoelektronischer Koppler MB 110; Technische Bedingungen
35171 1988-04-00 Halbleiterbauelemente; optoelektronischer Koppler MB 111; Technische Bedingungen
35172 1987-11-00 Halbleiterbauelemente; Infrarotemitterdiode VQ 120; Technische Bedingungen
35199   KT 203
35200 1986-08-00 Halbleiterbauelemente; Silicium-pnp-NF-Transistoren KT 209, A, B, W, G, D, E, Sh, I, K, L, M; Technische Bedingungen
35201   KT 501
35202   KT 368
35204 1981-06-00 Integrierte Halbleiterbauelemente; 4 MHz-Uhrenschaltkreis U 114 D und U 124 D; Technische Bedingungen
35274/01 1978-05-00 Elektrotechnik; Handlöten mit Lötkolben; Abnahmebedingungen für Lötausführungen an Lötfahnen
35274/02 1978-05-00 Elektrotechnik; Handlöten mit Lötkolben; Abnahmebedingungen für Lötausführungen auf bestückten Leiterplatten
35274/03 1987-10-00 Elektrotechnik; Handlöten; Verfahren zum Weichlöten an Lötanschlüssen
35333 1979-04-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Statischer Lese-Schreib-Speicher U 202 D; Technische Bedingungen
35334 1981-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Teilerschaltkreis D 351 D und E 351 D; Technische Bedingungen
35335 1981-03-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Zeitschaltkreise D 355 D, E 355 D und E 356 D; Technische Bedingungen
35336   D 461 D
35404   KT 363
35405   KT 345
35406   KT 347
35407   KT 920
35408   KT 922
35409   KT 925
35515   B 340 D / B 341 D
35555 1984 B 222 D
35765 1987-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolarer Lautstärke- und Balance-Einstell-Schaltkreis A 273 D; Technische Bedingungen
35766 1987-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolarer Höhen- und Tiefeneinstell- Schaltkreis A 274 D; Technische Bedingungen
35767 1988 A 202 D
35775 1980-12-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Drahtwiderstände Baureihe 194; Technische Bedingungen
35776 1980-12-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Drahtwiderstände Baureihe 402; Technische Bedingungen
35777 1980-12-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Drahtwiderstände Baureihe 412; Technische Bedingungen
35778 1982-10-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Drahtwiderstände Baureihe 84.5; Technische Bedingungen
35779 1980-09-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Drahtwiderstände Baureihe 552; Technische Bedingungen
35780 1979-12-00 Festkondensatoren; Keramik-Scheibenkondensatoren rechteckig, Typ IB; Nennspannung 63 V; Technische Bedingungen
35781 1979-12-00 Festkondensatoren; Keramik-Scheibenkondensatoren rechteckig, Typ II; Nennspannung 63 V; Technische Bedingungen
35797 1985-08-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare NF-Verstärker-Schaltkreise A 209 K, A 210 E, A 210 E2, A 210 K, A 210 K2; Technische Bedingungen
35798 1986-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare NF-Verstärker-Schaltkreise A 225 D; Technische Bedingungen
35799   SY 360
35833 1978-12-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-Dual-Gate Mos-Feldefekt-Transistoren KP 350 A, B, W; Technische Bedingungen
35835   KT 371
35836   KT 372
35837   UB 855 D / VB 855 D / UA 855 D
35838 1984-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer UV-löschbarer Festwertspeicher-Schaltkreis U 552 C; Technische Bedingungen (U855D ?)
35866 1980-03-00 Rotierende elektrische Maschinen; Gleichstrom-Kleinstmotor permanenterregt mit genutztem Läufer; Typ 1223.3
35869 1979-06-00 Rotierende elektrische Maschinen; Gehäusemotoren für Kassetten-Heimbandgeräte; Typen 1120.5 und 1120.5/1
35950   U 706 D
36076 1983-05-00 Elektrische Informationstechnik; Neutrale elektromagnetische Relais GBR 20.1
36083 1979-03-00 Bestückte Leiterplatten; Schwalllöten
36369 1979-09-00 Halbleiterbauelemente; Lichtemitteranzeigeeinheit VQD 32, VQD 32-2; Technische Bedingungen
36370 1986-07-00 Halbleiterbauelemente; Silicium-npn-UHF- Transistoren KT 382, A, B, AM, BM; Technische Bedingungen
36371 1979-06-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-Leitungstransistoren KT 704, A, B, W; Technische Bedingungen
36372 1979-06-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-Leitungstransistoren KT 809 A; Technische Bedingungen
36373 1979-06-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-Leitungstransistoren KT 812, A, B, W; Technische Bedingungen
36374 1979-06-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-HF-Transistoren KT 913, A, B, W; Technische Bedingungen
36375 1979-06-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-HF-Transistoren KT 918, A, B; Technische Bedingungen
36376 1979-06-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-HF-Transistoren KT 919, A, B, W, G; Technische Bedingungen
36377 1979-06-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-HF-Transistoren KT 926, A, B; Technische Bedingungen
36515 1979-12-00 Mechanische Frequenzfilter; Monolithisches Frequenzfilter MQF 10,7 - 0350; Technische Bedingungen
36516 979-12-00 Mechanische Frequenzfilter; Monolithisches Frequenzfilter MQF 10,7-1800/1/2 Technische Bedingungen
36516 - 1. Änderung 1982-08-00 Mechanische Frequenzfilter; Monolithisches Frequenzfilter MQF 10,7-1800. Technische Bedingungen
36521 1982-08-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Schichtwiderstände Baureihe 23; Technische Bedingungen
36523 1986-04-00 Mechanische Frequenzfilter; Oberflächenwellenfilter MSF 38,9; Technische Bedingungen
36523 - 1. Änderung 1988-08-15 Mechanische Frequenzfilter; Oberflächenwellenfilter MSF 38,9; Technische Bedingungen
36608 1986-04-00 Halbleiterbauelemente; Siliciumgleichrichterdioden SY 345; Technische Bedingungen
36609 1985-06-00 Halbleiterbauelemente; optoelektronische Koppler MB 104/4, MB 104/5, MB 104/6; Technische Bedingungen
36664 1980-09-00 Kontaktbauelemente; Steckverbinder 20/60; Technische Bedingungen
36665 1989-09-00 Kontaktbauelemente; Fassungen für integrierte Schaltkreise; Fassung 18-48/24,5-63 x 19,9; Technische Bedingungen
36737 1984-09-00 Keramik-Hochfrequenz-Leistungskondensatoren; Scheibenkondensatoren; Technische Bedingungen
36737 - 1. Änderung 32766 Keramik-Hochfrequenz-Leistungskondensatoren; Scheibenkondensatoren; Technische Bedingungen
36740 1980-01-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-MOS-Feldeffekttransistoren KP 305 D, E, Sh, I; Technische Bedingungen
37001   UB 856 D / VB 856 D / UA 856 D
37002   UB 857 D / VB 857 D / UA 857 D
37003   UB 858 D / UA 858 D
37019 1987-04-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Kurzschlussfester Treiber-Schaltkreis E 435 E; Technische Bedingungen
37025 1980-01-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-pnp-NF-Transistoren KT 3107 A, B, W, G, D, E, Sh, I, K, L; Technische Bedingungen
37026 1980-01-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-pnp-NF-Transistoren KT 816 A, B, W, G; Technische Bedingungen
37027   KT 502
37028 1980-01-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-pnp-NF-Transistoren KT 630 A, B, W, G, D, E; Technische Bedingungen
37029   UB 8563 D / VB 8563 D / UA 8563 D
37203 1989-07-00 Kontaktbauelemente; Flachsteckverbinder 1-18/5-90 x 4; Technische Bedingungen
37212 1982-04-00 Elektrische Informationstechnik; Neutrale elektromagnetische Relais GBR 10; Relais 10.1 und Relais GBR 10.2
37212 - 1. Änderung 1985-10-09 Elektrische Informationstechnik; Neutrale elektromagnetische Relais GBR 10; Relais 10.1 und Relais GBR 10.2
37359   UB 8860 M / UB 8861 M
37360   UB 8810 D / UB 8811 D
37370   KT 382 A, B, AM/BM
37512   D 410 D
37513   B 308 D / B 318 D
37514 1981-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolarer Ansteuerschaltkreis für Schaltnetzteile B 260 D; Technische Bedingungen
37518 1982-09-00 Halbleiterbauelemente; Silicium-npn-Leitungsschalttransistoren SU 167 und SU 169; Technische Bedingungen
37558   KT 503
37559 1986-08-00 Halbleiterbauelemente; Silicium-npn-UHF-Transistoren KT 640, A-2- B-2, W-2; Technische Bedingungen
37560   KT 814
37562 1986-08-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Vier-Bit-Binär-Dezimaldekoder-Schaltkreis K 155 ID3; Technische Bedingungen
37609 1988 MB 104
37634 1981-12-00 Festkondensatoren; Polypropylen- Kondensatoren zentrisch-axial; Technische Bedingungen
37787 1981-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Festwertspeicher-Schaltkreis U 555 C; Technische Bedingungen
37787 - 1. Änderung 1989-01-04 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Festwertspeicher-Schaltkreis U 555 C; Technische Bedingungen
37788   U 830 D
37791   U 834 D
37871   SC 307 / SC 308 / SC 309
37872   KT 815
37873   KT 817
37903 1984-04-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Biopolarer-Bild-ZF-Verstärker-Schaltkreis A 241 D; Technische Bedingungen
37903 - 1. Änderung 1988-10-16 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Biopolarer-Bild-ZF-Verstärker-Schaltkreis A 241 D; Technische Bedingungen
37905 1987-11-00 Halbleiterbauelemente; Lichtemitterdiode VQA 25; Technische Bedingungen
37906 1987-11-00 Halbleiterbauelemente; Lichtemitterdiode VQA 35; Technische Bedingungen
37911 1983-12-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Schichtwiderstände Baureihe 121; Technische Bedingungen (prismatische Bauform, einseitige Anschlussbedrahtung)
37960   KT 934
37961   KT 818
37962   KT 819
38005   U 202 DA
38007 1985-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer RGB-Matrix-Schaltkreis, A232D, Technische Bedingungen
38008 1982 B 654 D
38009 1985 A 255 D
38011 1981-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer LED-Ansteuerschaltkreis, A277D, Technische Bedingungen
38012 1980-11-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Empfänger-Schaltkreis, A283D, Technische Bedingungen
38013 1982-03-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Ansteuerschaltkreis für Schrittmotoren D394D, Technische Bedingungen
38014   C 520 D
38015 1986-05-00 Halbleiterbauelemente, Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Halbleiterschaltkreise, Bildung der Typebezeichnungen und Gestaltung der Typenkennzeichnung
38021 1980-11-00 Halbleiterbauelemente, npn-Transistor mit hoher Sperrspannung, SF 369, Technische Bedingungen
38031 1982-04-00 Elektrische Informationstechnik, Neutrale elektromagnetische Relais, GBR15, Relais GBR 15.1 und Relais GBR 15.2
38031 - 1. Änderung 1984-03-27 Elektrische Informationstechnik, Neutrale elektromagnetische Relais, GBR15, Relais GBR 15.1 und Relais GBR 15.2
38145 1981-05-00 Halbleiterbauelemente, Seilen- Blitzschutzdioden BD1 und BD2, Technische Bedingungen
38158 1983-11-00 Festkondensatoren, Polystyrol- Kondensatoren, Prismatisch stehende Ausführung, Technische Bedingungen
38159 1982-06-00 Festkondensatoren, Polystyrol- Kondensatoren, Zylindrisch, zentralisch-axial, Technische Bedingungen
38198 1989-09-00 Kontaktbauelemente, Knöpfe für Tastenschalter
38221 1982-04-00 Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren für Tonfrequenzen bis 50 kHz, Niedervolt, axiale Ausführung, Typ IIA, Technische Bedingungen
38282 1982-05-00 Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände Baureihe 55, Technische Bedingungen
38283 1982-05-00 Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände Baureihe 45, Technische Bedingungen
38378 1987-09-00 Mechanische Frequenzfilter, Elektromechanischer Frequenzfilter MF 200-0900/7, Technische Bedingungen
38454   Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren für geschaltete Netzteile, axial Anschlüsse Niedervolt, Typ I A, technische Bedingungen
38455 1983-11-00 Kontaktbauelemente. Steckverbinder 8-Polig. Technische Bedingungen
38462 1981 SCE 237 / SCE 238 / SCE 239
38463 1984 SFE 235
38464 1984 SFE 245
38465 1988 SSE 216 / SSE 219
38466   SY 351
38467 1983-04-00 Flüssigkristallbauelemente. Flüssigkristallanzeigen. Hauptmaße
38468   VQA 10 / VQA 13 / VQA 13-1 / VQA 23 / VQA 33
38469 1982-11-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeigeeinheit, VQC10, Technische Bedingungen
38470 1983-07-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdiodenreihe VQF10-1, Technische Bedingungen
38461 1981-05-00 Elektronenröhren, Magnetron HMD 244, Technische Bedingungen
38467 1983-04-00 Flüssigkristallelemente, Flüssigkristallanzeigen, Hauptmaße
38468 1987-04-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden, VQA10, VQA13, VQA13-1, VQA23, VQA33, Technische Bedingungen
38469   VQC 10
38518 1981-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer programmierbarer Triac-, Thyristor- und Transistor-Ansteuer-Schaltkreis U708D, Technische Bedingungen
38519 1988-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer LCD-Ansteuer-Schaltkreis U714 PC, Technische Bedingungen
38520   U 806 D
38521 1989-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Fernbedienungs-Sender-Schaltkreis U807DC, Technische Bedingungen
38524 1982-04-00 Festkondensatoren, Motor-Betriebs-Kondensatoren MKV Zylindrisch, Technische Bedingungen
38525 1988-06-00 Festkondensatoren, Motor-Betriebs-Kondensatoren MKP Zylindrisch, Technische Bedingungen
38529 1987-10-00 Festkondensatoren, Keramik-Scheibenkondensatoren, rund mit Kleinstwertkapazitäten, Klasse 1 Nenngleichspannung 100 V, Technische Bedingungen
38530 1986-10-00 Festkondensatoren, Polystyrol-Kondensatoren KS radial, Technische Bedingungen
38532 1988-03-00 Feste Widerstände für die Anwendung in elektronischen Geräten, Feste Chipwiderstände, Nenngröße 315.1206, Technische Bedingungen
38518   U 708 D
38567   SP 105
38584   Metallisierte Polypropylen-Kondensatoren MKPI. Zylindrisch; technische Bedingungen
38590 1982-04-00 Einstellbare Kondensatoren, Keramik-Trimmerkondensatoren, Nennspannung 160V, Technische Bedingungen
38593 1982-10-00 Festkondensatoren, Funk-Entstörkondensatoren, 250 V Nennwechselspannung, Klasse y, Mischdielektrikum, technische Bedingungen
38603 1982-06-00 Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände Baureihe 173, Technische Bedingungen
38604 1982-06-00 Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände Baureihe 183, Technische Bedingungen
38605 1984-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Logikschaltkreise, V4001D, V4011D, V4012D, V4023D, V4030D, Technische Bedingungen
38607   UB 8830 D / UB 8831 D
38657 1981-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Inverter-Schaltkreise, D104D, E104D und Bipolare AND-Schaltkreise D108D, E108D, Technische Bedingungen
38658   B 451 G / B452 G / B 453 G / B 461 G / B 462 G
38675 1982-10-00 Festkondensatoren, Metallisierte Polyesterkondensatoren MKT3, Prismatisch, Technische Bedingungen
38679 1981-12-00 Halbleiterbauelemente, Ladungsgekoppelte Sensorteile L110C, Technische Bedingungen
38690 1983-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Dynamischer Schreib-Lese-Speicher-Schaltkreis U256C und U256D, Technische Bedingungen
38691 1983-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Treiber-Schaltkreis V40098D, Technische Bedingungen
38692 1983-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Schmitt-Trigger-Schaltkreise V4093D, Technische Bedingungen
38693 1983-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Decoder-Schaltkreis V40511D, technische Bedingungen
38694 1983-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Treiber-Schaltkreis V4050D, Technische Bedingungen
38739   KT 391
38740   KT 313
38748 1985-02-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden, VQA60, VQA70, VQA80, Technische Bedingungen
38799   KT 117
38908   Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren mit axialen Anschlussdrähten, Niedervolt; technische Bedingungen
38925 1982-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Operationsverstärkerschaltkreise, B611D, B615D, B621D, B625D, B631D, B635D, B761D, B765D, B861D, B865D, B2761D, B2765D, B4761D und B4765D, Technische Bedingungen
38928 1987-04-00 Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren mit einseitigen Anschlussdrähten, Niedervolt, Technische Bedingungen
38929 1982-04-00 Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände mit definiertem Frequenzverhalten Baureihe 17 und 27, Technische Bedingungen
38929 - 1. Änderung 1985-12-20 Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände mit definiertem Frequenzverhalten Baureihe 17 und 27, Technische Bedingungen
38965   TANTAL-Festkörper-Kondensatoren, tropfenförmig, technische Bedingungen
38979 1986-03-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Operationsverstärker-Schaltkreise, B176D und B177D, technische Bedingungen
38995 1983-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Statische Lese-Schreib-Speicher-Schaltkreis, U215D, U215D1, U225D, U225D1, Technische Bedingungen
38996 1984-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolare Logikschaltkreise, V4013D, V4027D, Technische Bedingungen
38997 1984-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolare Logikschaltkreise, V4015D, V4028D, Technische Bedingungen
38998 1984-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolare Logikschaltkreise, V4035D, Technische Bedingungen
38999 1984-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolare Logikschaltkreise, V4042D, Technische Bedingungen
39000 1982-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Kurzschlussfester Treiberschaltkreis E412D, Technische Bedingungen
39001 1982-05-00 HalbleiterBauelemente, Silizium-pnp-Hochfrequenz Transistoren SF 116 bis SF 119, Technische Bedingungen
39013 1982-08-00 Festkondensatoren, Polyester-Kondensatoren, prismatisch, Technische Bedingungen
39014 1984-07-00 Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 795 und 805, Technische Bedingungen
39121 1981-12-00 Elektronenröhren. Endikon F 2,5 M 51 A , Endikon F 2,5 M 51 B. Technische Bedingungen
39123 1984-08-00 Halbleiterbauelemente, Silizium-Niederfrequenz-Leistungstransistoren, npn- SD335, SD337, SD339, pnp-SD336, SD338, SD340, Technische Bedingungen
39125 1984-11-00 Halbleiterbauelemente, Silizium-Niederfrequenz-Leistungstransistoren, npn- SD345, SD347, SD349, pnp-SD346, SD348, SD350, Technische Bedingungen
39352 1983-04-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitteanzeigen, VQE21 bis VQE24, Technische Bedingungen
39353 1987-11-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA18, VQA28, VQA38, Technische Bedingungen
39358 1981-12-00 Rechentechnik. Elektronischer Taschenrechner. MR 412 und MR 609. Technische Bedingungen
39402 1983-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Operationsverstärker K140UD7, Technische Bedingungen
39422 1987-06-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA14, VQA24, VQA34, Technische Bedingungen
39490 1988-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Operationsverstärker-Schaltkreise, B 080 D / B 081 D / B 082 D / B 083 D / B 084 D B080D/Dm/Dp/Dt bis B084D/Dm/Dp/Dt, Technische Bedingungen
39609 1983-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare NF-Leistungsverstärker-Schaltkreise, A2030H und A2030V, Technische Bindungen
39681   Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren für geschaltete Netzteile, Becher mit Schraubanschlüssen, Niedervolt; technische Bedingungen
39700 1988-09-00 Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdiode VQ 130, technische Bedingungen
39701 1988-09-00 Halbleiterbauelemente, Fotodiode SP 104, technische Bedingungen
39704 1985-08-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Spannungsregler-Schaltkreise, B3170V, B3171V, B3370V und B3371V, Technische Bedingungen
39705 1985-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Operationsverstärker-Schaltkreise B060D, B061D, B062D, B064D und B066D, Technische Bedingungen
39722 1983-07-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA16, VQA26, VQA 36, VQA 46, Technische Bedingungen
39723 1983-07-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA17, VQA27, VQA 37, VQA 47, Technische Bedingungen
39724 1983-07-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA19, VQA29, VQA 39, VQA 49, Technische Bedingungen
39797 1984-07-00 FlüssigkristallBauelemente, Flüssigkristallanzeigen, FAR09A, FAT09A, FAS09A, Technische Bedingungen
39798 1984-04-00 FlüssigkristallBauelemente, Flüssigkristallanzeigen, FAR13A, FAT13A, FAS13A, FAR19A, FAT19A, FAS19A, Technische Bedingungen
39799 1983-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare 4-BIT Latch-Schaltkreise D175D, Technische Bedingungen
39800 1983-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Monostabile Multivibrator-Schaltkreise D121D und E121D, Technische Bedingungen
39865 1988-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Low-Power-Schottky-TTL-Schaltkreise, DL000D, DL002D, DL003D, DL004D, DL008D, DL010D, DL011D, DL020D, DL021D, DL026D, DL030D, DL074D, Technische Bedingungen
39866 1983-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Interface-Schaltkreis, DS8205D, Technische Bedingungen
39891 1984 SU 180
39894 1985-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Leistungs-NAND-Schaltkreise, DL037D, DL038D und DL040D, Technische Bedingungen
39917 1986-07-00 Kontaktbauelemente, Steckverbinder 8/25, Technische Bedingungen
39934 1984-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Ansteuerschaltkreis für Schrittantriebe D395D, Technische Bedingungen
42047 1982-11-00 Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdiode VQ 121, technische Bedingungen
42070 1984-04-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-npn-Transistorarray-Schaltkreise B315D, B315E, B315K, B325D, B325E, B325K, B360D, B360E, B360K, B380D, B380E, B380K, technische Bedingungen
42071 1985-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Pal-Dekoder-Schaltkreis A3510D, technische Bedingungen
42072 1985-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Secam-Dekoder-Schaltkreis A3520D, technische Bedingungen
42073 1985-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Video-Kombinations-Schaltkreis A3501D, technische Bedingungen
42074 1986-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Kommutator-Schaltkreis B390D, technische Bedingungen
42075 1983-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare BCD-zu-7-Segment-Dekoder-Schaltkreise D345D bis D348D, D346D1, D348D1 und E345D bis E348D, technische Bedingungen
42076 1986 SU 186 / SU 187 / SU 188
42101   L 211 C
42102 1987-04-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden, VQA101, VQA201 VQA301, technische Bedingungen
42170 1986-05-00 HalbleiteBauelemente, Lichtemitteranzeige VQB 200 und VQB 201, Technische Bedingungen
42171 1984-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Operationsverstärker-Schaltkreis K 153 UD5, Technische Bedingungen
42172 1984-04-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 2-fach 4:1 Datenselektor/Multiplexer Schaltkreis K 155 KP2, Technische Bedingungen
42173 1984-04-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-Exklusiv-ODER-Gatter-Schaltkreis K 155 LP5, Technische Bedingungen
42174 1984-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Schaltkreis Typgruppen K 589, Technische Bedingungen
42175 1984-04-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-Bit-Volladdierer-Schaltkreis K 155 IM3, Technische Bedingungen
42177 1984-04-00 Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-Leistungstransistor KT 945 B, Technische Bedingungen
42178 1984-04-00 Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-NF-Leistungstransistor KT 837 A, B, W, G, D, E, Sh, I, K, L, M, N, P, R, S, T, U, F, Technische Bedingungen
42180 1984-04-00 Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-NF-Leistungstransistor KT 827 A, B, W, Technische Bedingungen
42181 1984-04-00 Halbleiterbauelemente, Silicium-pnp-UHF-Transistor kleiner Leistung KT 3109 A, B, W, Technische Bedingungen
42219   SY 356
42222   U 214 D 20 / U 214 D 30 / U 214 D 45
42231 1986-06-00 Halbleiterbauelemente, Fototransistor SP 215, Technische Bedingungen
42232 1985-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Statische Schreib-Lese-Speicher U 214 D45, U 214 D30 und U214 D20, Technische Bedingungen
42233 1986-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Statische Schreib-Lese-Speicher US 224 D20, U 224 D30 und UH 224 D30, UL 224 D30 und VL 224 D20 Technische Bedingungen(US 224 D 20; US 224 D 30; VL 224 D 20; VL 224 D 30; UL 224 D 20; UL 224 D 30)
42234 1986-03-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Dynamischer Schreib-Lese-Speicher-Schaltkreis U 2164 C20, U 2164 C20/1 und U 2164 C25, Technische Bedingungen
42234   ( U 84 C 30 DC)
42236 1987-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Einchiprechnerschaltkreise U8047 PB und U 8047 PG, Technische Bedingungen
42254 1988-01-00 Halbleiterbauelemente, optoelektronischer Koppler MB 123, technische Bedingungen
42255 1984-12-00 Halbleiterbauelemente, optoelektronischer Koppler MB 102, technische Bedingungen
42259 1984-01-00 Elektrische Informationstechnik, Neutrale Elektromagnetische Relais, GBR 7, Grundausführung
42283 1984-04-00 Flüssigkristall-Bauelemente, Flüssigkristallanzeigen, FAR11A, FAT11A, FAS11A, Technische Bedingungen
42358 1984 SC 116 / SC 117 / SC 118 / SC 119
42421 1984-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Invertierender Bidirektional-Bus-Treiber, Schaltkreis K 589 AP26, technische Bedingungen
42423 1984-04-00 Halbleiterbauelemente, Silizium-pnp-NF-Leistungstransistoren, KT 825 G, D, E, Technische Bedingungen
42424 1984-06-00 Halbleiterbauelemente, Gehäuseloser Silicium-pnp-SHF-Leistungstransistoren, KT 3101 A-2, Technische Bedingungen
42426 1988-12-00 Halbleiterbauelemente, optoelektronische Koppler MB 130 bis MB 135, Technische Bedingungen
42466 1984-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Doppel-Zeitgeber-Schaltkreis B556 D, Technische Bedingungen
42467 1986-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Initiatorschaltkreise B303 D, B304D, B305 D und B306D, Technische Bedingungen
42577 1986-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Blinkgeberschaltkreis E310 D, Technische Bedingungen
42578 1984-04-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Leistungsoperationsverstärker-Schaltkreis B165 D, B165 V, B165 H1, B165 V1, Technische Bedingungen
42561   U 61256 DC
42562   U 4548 DC
42563   U 6264 DG
42577 1986 E 310 D
42591 1988-12-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeige MQC 11, Technische Bedingungen
42622 1984-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Interface-Schaltkreise DS 8216D, DS 8286D und DS 8287D, Technische Bedingungen
42623 1986-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Interface-Schaltkreise DS 8212D, DS 8282D und DS 8283D, Technische Bedingungen
42624 1986-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Ton-ZF-Verstärkerschaltkreis A224D, Technische Bedingungen
42628   V 4007
42629   V 4027 D; V 4029 D
42630   V 4034 D
42631   V 4017 D
42632   V 4019 D; V 4023 D; V 4048 D;
42633   V 4044 D
42634   UB 8840 M / UB 8841 M
42635   UL 7211 D
42638   UP 7211 D
42639   UB 8820 M / UB 8821 M
42643/01 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Baureihe U 74HCT
42643/02 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Gatter U 74HCT00 DK
42643/03 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Gatter U 74HCT02DK
42643/04 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Gatter U 74HCT04DK
42643/05 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Gatter U 74HCT86DK
42643/06 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Flip-Flop U 74HCT74DK
42643/07 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Flip-Flop U 74HCT374DK; U 74HCT534DK
42643/08 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Decoder/Demultiplexer U 74HCT138DK
42643/09 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Transceiver U 74HCT242DK; U 74HCT243DK
42643/10 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Latch U 74HCT373DK; U 74HCT533DK
42643/11   U 74HCT08DK
42643/12   U 74HCT20DK
42643/13   U 74HCT21DK
42643/14   U 74HCT32DK
42643/15   U 74HCT175DK
42643/16   U 74HCT192DK
42643/17   U 74HCT193DK
42643/18   U 74HCT241DK
42643/19   U 74HCT245DK
42643/20   U 74HCT253DK
42643/21   U 74HCT257DK
42643/22   U 74HCT03DK
42644   U 84 C 40 DC / U 84 41 DC
42649   U 84 C 20 DC
42653   U84 C 00 DC
42662   U 192 D
42663   U 1056 D (U 1159DC nur Werkstandard: MDS 106)
42699/01 1984-10-00 Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais EGK 13/1
42699/01 - 1. Änderung 1987-03-17 Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais EGK 13/1
42699/02 1984-10-00 Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais RGS 13/1
42699/02 - 1. Änderung 1987-03-17 Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais RGS 13/1
42699/03 1984-10-00 Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais RGT 13/1
42699/03 - 1. Änderung 1987-03-17 Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais RGT 13/1
42737 1985-07-00 Neutrale Elektromagnetische Relais, GBR 11, GBR 12, GBR 13, Grundausführung
42739 1987-08-00 Halbleiterbauelemente, Diodenmodule MDD 16, MDD 25, MDD 40 und MDD 63, Technische Bedingungen
42767 1985-07-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände, Veränderbare Drahtwiderstände, Baureihe 604 und 614, Technische Bedingungen
42769   Keramische Vielschicht-Chip-Kondensatoren (KEVC) bis 200 V Nennspannung; allgemeine technische Bedingungen
42777 1985-08-00 Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-Leistungsschalttransistoren SU 189 und SU 190, technische Bedingungen
42778 1987 SU 377 / SU 378 / SU 379 / SU 380
42779 1986-03-00 Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-Darlington-Leistungstransistor SU 111, technische Bedingungen
42789 1988-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer NF-Stereo-Steller-Schaltkreis A 1524D, technische Bedingungen
42836 1986-01-00 Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-UHF-Leistungstransistoren KT 930 A, B, technische Bedingungen
42837 1986-01-00 Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-VHF-Transistor KT 931 A, technische Bedingungen
42878 1988 MB 105
42933 1986-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Temperaturfühler-Schaltkreise, B 511 N1, B 511 N2, B511 N3, B 511 N4, B 511 Nm, technische Bedingungen
42934 1986-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Kleinleistungs-Referenz-Schaltkreis B589 N, technische Bedingungen
42934 - 1. Änderung 1988-07-20 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Kleinleistungs-Referenz-Schaltkreis B589 N, technische Bedingungen
42940 1985-11-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeigen VQB 16 bis VQB 18, technische Bedingungen
42942 1987-12-00 Halbleiterbauelemente, Infrarotlasermodul VQ 150, technische Bedingungen
42943 1986-06-00 Halbleiterbauelemente, Fotodiode SP 106, technische Bedingungen
43012 1986 V 4046 D
43013 1986 V 4051 D
43014 1986 V 4046 D; V 4066 D;
43016 1986 V 4520 D; V 4531 D;
43017 1986 V 4538 D;
43018 1986 V 4585 D
43019   UB 8001 C / UB 8002 D
43020 1987-03-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Speicherverwaltungsschaltkreise, UB 8010 C, Technische Bedingungen
43052   Festwertschichtwiderstände für Präzisions- und Ultrapräzionsanwendungen, Baureihe 21 (axiale Form, axial bedrahtet); technische Bedingungen
43058   C 502 D
43070 1985-04-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeigen VQE 205 bis VQE 208, technische Bedingungen
43076   U 2365 D 30 / U 2365 D 45
43077   U 2716 C 35 / U 2716 C 39 / U 2716 C 45
43078   U 2616 D
43084 1986-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Analogprozessorschaltkreise für integrierende Analog-Digital-Wandler, C500D und C501D, Technische Bedingungen
43084 - 1. Änderung 1988-10-16 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Analogprozessorschaltkreise für integrierende Analog-Digital-Wandler, C500D und C501D, Technische Bedingungen
43085 1986-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Digitalprozessorschaltkreise für integrierende Analog-Digital-Wandler, C502D, Technische Bedingungen
43099 1987-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Kamera-Schaltkreis A321G, Technische Bedingungen
43155 1985-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Aufnahme-Wiedergabe-Verstärker-Schaltkreis A1818D, Technische Bedingungen
43156 1985-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer AM-FM-ZF-Verstärker-Schaltkreis A4100D, Technische Bedingungen
43157 1985-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Doppel-NF-Leistungsverstärker-Schaltkreise A2000 V/Vm und A 2005 V/Vm, Technische Bedingungen
43158 1986-03-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Stereo-Decoder-Schaltkreise A4510D und A 4510D1, Technische Bedingungen
43158 - 1. Änderung 1987-07-20 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Stereo-Decoder-Schaltkreise A4510D und A 4510D1, Technische Bedingungen
43159 1987-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Digital-Analog-Wandler-Schaltkreise C656C, C565D, C565C1, C565D1, C5650C, C5650D, C5658 und C5658D, Technische Bedingungen
43199   Metallisierte Polyesterkondensatoren (zylindrische Bauform, zentrisch-axiale Bedrahtung)
43202 1986-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Zweifach-J-K-Flipflop DL 112 D, Technische Bedingungen
43203 1986-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Zweifach-monostabiler Multivibrator-Schaltkreis DL 123 D, Technische Bedingungen
43204 1986-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Zähler-Schaltkreise DL 192 D, DL193 D, Technische Bedingungen
43205 1986-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Zähler-Schaltkreise DL 090 D, DL093 D, Technische Bedingungen
43206 1985-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Schmitt-Trigger-Schaltkreise DL 014 D und DL 132 D, Technische Bedingungen
43240   Feste Widerstände für die Anwendung in elektronischen Geräten; feste Chipwiderstände; allgemeine technische Bedingungen
43268 1986-03-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Digitalprozessorschaltkreis für integrierende Analog-Digital-Wandler C504D, technische Bedingungen
43268 - 1. Änderung 1986-12-30 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Digitalprozessorschaltkreis für integrierende Analog-Digital-Wandler C504D, technische Bedingungen
43268 - 2. Änderung 1989-02-10 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Digitalprozessorschaltkreis für integrierende Analog-Digital-Wandler C504D, technische Bedingungen
43269 1987-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8-Bit-Analog-Digital-Wandlerschltkreise C570C, C570D und 10-Bit-Analog-Digital-Wandlerschaltkreise C571C, C571D, C571C1, C571D1, Technische Bedingungen
43290 1985-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, AND-NOR-Schaltkreis DL051D, Technische Bedingungen
43291 1985-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Exklusiv-Oder-Schaltkreis DL086D, Technische Bedingungen
43292 1985-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 2-auf4-Dekoder/Demultiplexer-Schaltkreis DL155D, Technische Bedingungen
43293 1985-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Vierfach-D-Flipflop-Schaltkreis DL175D, Technische Bedingungen
43294 1985-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-Bit-Universalschieberegister-Schaltkreis DL194D, Technische Bedingungen
43295 1985-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Multiplexer-Schaltkreise DL251D, DL253D, DL257D, Technische Bedingungen
43295 - 1. Änderung 1988-03-15 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Multiplexer-Schaltkreise DL251D, DL253D, DL257D, Technische Bedingungen
43296 1985-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-Bit-Schieberegister-Schaltkreis DL295D, Technische Bedingungen
43297 1985-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8-Bit-Komparator-Schaltkreis DL8121D, DL 2632 D Technische Bedingungen
43298 1988-03-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Systemtaktgenerator-Schaltkreis DL8127D, Technische Bedingungen
43299 1988-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 12-Bit-A/D-Wandler-Schaltkreis C574C, Technische Bedingungen
43346 1988-12-00 Halbleiterbauelemente, Siliciumgleichrichterdioden SY 191, technische Bedingungen
43347 1988-12-00 Halbleiterbauelemente, Siliciumgleichrichterdioden SY 192, technische Bedingungen
43348 1987-01-00 Halbleiterbauelemente, Siliciumgleichrichterdioden SY 196, technische Bedingungen
43349 1987-02-00 Halbleiterbauelemente, Siliciumgleichrichterdioden SY 197, technische Bedingungen
43350 1987-11-00 Halbleiterbauelemente, Schottky-Leitungsgleichrichterdioden SY 525, Technische Bedingungen
43351 1987-11-00 Halbleiterbauelemente, Schottky-Leitungsgleichrichterdioden SY 526, Technische Bedingungen
43352 1987-01-00 Halbleiterbauelemente, Epitaxial-Leitungsgleichrichterdioden SY 625, Technische Bedingungen
43353 1987-07-00 Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren, Sockel mit Schraubenschlüssel, Hochvolt Typ IA, Technische Bedingungen
43386 1986-03-00 Halbleiterbauelemente, Silicium-Hochfrequenztransistoren, pnp-SF 816 bis SF 819, npn-SF 826 bis SF 829, Technische Bedingungen
43386 1981 SF 129 B
43402/03 1987-10-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitter-Flachbandanzeige, VQH 604, Technische Bedingungen
43402/05 1989-09-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitter-Flachbandanzeigen, VQH 205, VQH 206, VQH 207, Technische Bedingungen
43402/08 1988-11-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitter-Flachbandanzeige, MQH 200, Technische Bedingungen
43403 1987-03-00 Halbleiterbauelemente, optoelektronischer Koppler MB 106, Technische Bedingungen
43408 1987-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS-AD-Wandler-Schaltkreis C7136 D, Technische Bedingungen
43411 1987-12-00 Halbleiterbauelemente, Siliziumgleichrichterdioden SY 715, Technische Bedingungen
43428 1985-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, PCM-Kanalfilterschaltkreis U1001C, Technische Bedingungen
43429 1985-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, PCM-Kodier- und Dekodierschaltkreis U1011C, Technische Bedingungen
43558 1985-11-00 Flüssigkristall-Bauelemente, Flüssigkristallanzeigen, FAR 16A, FAS 16A, FAT 16A, Technische Bedingungen
43559 1985-11-00 Flüssigkristall-Bauelemente, Flüssigkristallanzeigen, FAR 17A, FAS 17A, FAT 17A, Technische Bedingungen
43590 1987 SY 710
43606 1986-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, OR-Schaltkreis DL 032 D, Technische Bedingungen
43607 1987-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Leitungssender-Schaltkreis DL 2631D, Technische Bedingungen
43608 1986-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-Bit-Volladdierer-Schaltkreis DL 083D, Technische Bedingungen
43609 1987-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8-Bit-Schieberegister-Schaltkreis DL 164D, Technische Bedingungen
43610 1987-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Adressierbarer 8-Bit-Latch-Schaltkreis DL 259 D, Technische Bedingungen
43611 1987-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8-Bit-Universalschieberegister-Schaltkreis DL 299D, DL 295 D Technische Bedingungen
43612 1986-08-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8xD-Flip-Flop-Schaltkreis DL 374D, Technische Bedingungen
43613 1986-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Leitungstreiber-Schaltkreise DL 540D und DL 541D, Technische Bedingungen
43614 1986-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Ansteuerschaltkreis für Leistungstransistoren B 4002D, Technische Bedingungen
43638 1987-08-00 Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-Darlington-Leistungsschalttransistoren, SU 508, SU 509 und SU 510, technische Bedingungen
43743 1987-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Statische Schreib-Lese-Speischer-Schaltkreise U2148D55 und U2148D70, Technische Bedingungen
43746 1988 SU 389 / SU 390
43763 1986-06-00 Halbleiterbauelemente, Fototransistor SP 212, Technische Bedingungen
43764 1986-06-00 Halbleiterbauelemente, Fototransistor SP 213, Technische Bedingungen
43787 1987-05-00 Kontaktbauelemente, Fassung für integrierte Schaltkreise, Fassung 24-32/30,5-81x17,7, Technische Bedingungen
43788 1987-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Spannungsversorgungsschaltkreis B384D, Technische Bedingungen
43789 1987-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Testschaltkreis B385D, Technische Bedingungen
43790 1987-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Speiseschaltkreis B386D, Technische Bedingungen
43791 1987-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Analog-Prozessor-Schaltkreis für Teilnehmeranschlussschaltungen B3870D, Technische Bedingungen
43792 1987-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Dialog-Analog-Wandler-Schaltkreise C560C und C560D, Technische Bedingungen
43795 1987-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Drehzahlregel-Schaltkreis B4206D, Technische Bedingungen
43808 1987-03-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Graphics-Display-Controller, U82720 DC02;U82720 DC03, U82720 DC04, Technische Bedingungen
43809 1987-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Festwertspeicher-Schaltkreise U2732 CC35, U2732 CC39, U2732 CC45, Technische Bedingungen
43810 1987-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Festwertspeicher-Schaltkreise U2632 DC45, Technische Bedingungen
43811 1987-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Speicherschaltkreise U804 DC, Technische Bedingungen
43812 1987-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Einchipmikrorechnerschaltkreis U8611 DC08-xxx, U8611 DC08/01, UL8611 DC08-xxx, UL8611 DC08/01, Technische Bedingungen
43813   U 82530 DC / U 8030 DC
43818 1986-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Gate-Array-Schaltkreis, Typgruppe U5201, Technische Bedingungen
43876 1988-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Standardzellenschaltkreise der Typengruppen U 1500 und U 1520, Technische Bedingungen
43877 1987-01-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden, VQA 102 und VQA 202, Technische Bedingungen
43887 1987-09-00 Kontaktbauelemente, Steckverbinder 16-96/95x11,1, Bauform C, Technische Bedingungen
43907 1988-04-00 Festkondensatoren, Metallisierte Polyester-Kondensatoren, (MKT) prismatisch, Klasse 1. Technische Bedingungen
43922 1986-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Statische Schreib-Lese-Speicher-Schaltkreise U6516 DG 15, UL6516 DG15 und UL6516 DG 25, Technische Bedingungen
43923 1988 SU 386 / SU 387 / SU 388
43929   DL 051 D
43955 1987-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Leitungsempfänger-Schaltkreise DL2632 D und DL2632 D1 für Differenzsignale, technische Bedingungen
43956 1988-06-00 Halbleiterbauelemente, Komplementäre-Silicium-Darlington-Leistungstransistoren npn BD 643, BD 645, BD647, BD649, pnp BD644, BD646, BD648, BD650, technische Bedingungen
43961 1987-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 16-Bit-Serien-Parallel-Wandler-Schaltkreis D718D, Technische Bedingungen
43971 1989-05-00 Halbleiterbauelemente, Silizium-Niederfrequenz-Transistoren, npn- SCE 535, SCE 537, SCE 539, pnp- SCE 536, SCE 538, SCE 540, technische Bedingungen
43979 1989-08-00 Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdioden VQ 175, Technische Bedingungen
45025 1988-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, DC-DC-Wandler-Schaltkreise U7660 DC, U7660 DG Technische Bedingungen
45026 1988 SSE 200 / SSE 201 /SSE 202
45039 1987-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Stereo-Decoder-Schaltkreis A 4511D, Technische Bedingungen
45040 1988 SU 518 / SU 519 / SU 520
45044 1987-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Drehzahlregel-Schaltkreis B 4207D, Technische Bedingungen
45045 1987-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Drehzahlregel-Schaltkreis B 4211D, Technische Bedingungen
45046 1988-12-00 Halbleiterbauelemente, Siliziumgleichrichterdioden SY 193, Technische Bedingungen
45047 1988-12-00 Halbleiterbauelemente. Siliciumgleichrichterdioden SY 198. Technische Bedingungen
45055   Feste Widerstände für die Anwendung in elektronischen Geräten; Technische Bedingungen
45133 1989-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Vertikalablenk-Schaltkreis A 1670 VD, Technische Bedingungen
45134   U 4541 DG
45135 1988-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8-Bit-Analog-Digital-Wandler-Schaltkreise, C670C, C670Cn, C670CGn, C670D und C670Dn, technische Bedingungen
45136 1988 SU 310 / SU 311 / SU 312
45137 1988 SU 192
45167 1988 B 3040 DA; Treiber-Sensor-Schaltkreis
45223 1988 SU 382 / SU 383 / SU 384
45230   Keramische Vielschicht-Kondensatoren mit radialen Anschlussdrähten (KEVA)
45231 1987-01-00 FlüssigkristallBauelemente, Flüssigkristall-Matrix-Anzeigen, FCR 30A, FCS 30A, FCT 30A, Technische Bedingungen
45232 1988 U 2664
45235 1989-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Peripherieschaltkreis, U 82536 DC04, U 8036 DC04, Technische Bedingungen
45236   U 82062 DC 05
45250 1988-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer 8-Bit-Teiber-Schaltkreis D4803 DC, Technische Bedingungen
45279/02 1988-01-00 Halbleiterbauelemente, Fotodioden, Fotodiode SP 114, Technische Bedingungen
45279/03 1988-01-00 Halbleiterbauelemente, Fotodioden, Optische Positionssensoren SP116, SP117, SP123, Technische Bedingungen
45279/04 1988-01-00 Halbleiterbauelemente, Fotodioden, Optische Positionssensoren SP119, SP121, Technische Bedingungen
45279/05 1988-01-00 Halbleiterbauelemente, Fotodioden, Optische Positionssensoren SP124, Technische Bedingungen
45279/05 - 1. Änderung 1989-09-05 Halbleiterbauelemente, Fotodioden, Optische Positionssensoren SP124, Technische Bedingungen
45418   Keramische Scheibenkondesatoren der Klasse 1 und 2 sowie Nennspannungen bis 400V (Bauformen: SVA / SVO / SUA / SUO)
45443 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 12-bit-Analog-Digital-Wandler-Schaltkreis U739DC, Technische Bedingungen
45449 1988-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer PLL-Regel-Schaltkreis B290SD, Technische Bedingungen
45516 1988-09-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA 103, VQA 203, VQA 303, Technische Bedingungen
45523 1989-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Nullspannungsschalter-Schaltkreis, B4204DE und B4205DE, Technische Bedingungen
45577   B 2960 VG
45656 1989-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, BIFET-Operationsverstärker-Schaltkreis B411DD, Technische Bedingungen
45708 1989 MQE 10
45741   L 220 C
45903   U 80601
45904   U 80606 DC
45906   U 80610
55055 1987-05-00 Kontaktbauelemente, Flachsteckverbinder 2-20/2,5-50,4x14,0, technische Bedingungen
55099 1986 VQ 125
55100 1983-06-00 Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdioden VQ123, technische Bedingungen
55104 1984-04-00 Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdioden VQ 170, Technische Bedingungen
55104 - 1. Änderung 1987-03-16 Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdioden VQ 170, Technische Bedingungen
55105 1984-04-00 Halbleiterbauelemente, SI-PIN-Fotodiode SP 107, Technische Bedingungen
55106 1988-09-00 Halbleiterbauelemente, Fotodiode SP 109, Technische Bedingungen
55108 1984-07-00 Halbleiterbauelemente, Ladungsgekoppelte Sensorzeile L133C, Technische Bedingungen
55110 1983-07-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeigen VQE 11 bis VQE 14, Technische Bedingungen
55111 1985-02-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeigen VQB 26 bis VQB 28, Technische Bedingungen
55112 1983 SCE 307 / SCE 308 / SCE 309
55113 1984 SFE 225
55163 1983-09-00 Festkondensatoren, Polyester-Kondensatoren, zylindrisch geschützt, technische Bedingungen
55164   Polystyrol-Kondensatoren, zylindrisch, zentrisch-axial; technische Bedingungen
Stand September 2011 Diese Liste wurde zusammengestellt von Wolfgang Kubiak. †

nach oben Seitenanfang