Widersprüchliche Angaben konnten wegen fehlender Standards (es handelt sich ja hierbei um Gesetzesblätter einer untergegangenen Epoche!!!) nicht aufgeklärt werden und wurden so, wie es die Quellen angaben, in die Liste eingearbeitet!
| TGL-Nr. |
Jahr |
Inhalt |
| 200-3541/01 |
1963-10-00 |
Elektrische Nachrichtentechnik, HF-Steckvorrichtungen 75-1,8/6,2, Anschlussmaße |
| 200-3603/01 |
1971-07-00 |
Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 2-32/23,5-44, 5x12, umschirmt, Stiftdurchmesser 1 mm, Hauptkennwerte |
| 200-3603/02 |
1976-02-00 |
Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 2-32/23,5-44, 5x12, ungeschirmt, Stiftdurchmesser 2,5mm, Hauptkennwerte |
| 200-3603/03 |
1967-12-00 |
Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 2-32/23,5-44x11, geschirmt, Hauptkennwerte |
| 200-3603/05 |
1973-11-00 |
Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 2-32/23,5-44x11, Montageplatte |
| 200-3603/06 |
1985-10-00 |
Kontaktbauelemente, Steckverbinder 2-32/23-44x11, Gehäuse, Flansch, Deckel, Zugentlaster, technische Bedingungen |
| 200-3606/01 |
1966-09-00 |
Elektrische Informationstechnik, neutrale elektromagnetische Relais NOF über 50 bis 60cm3, Hauptkennwerte |
| 200-3630 |
1971-11-00 |
Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 4/83x15 IP00, Hauptkennwerte |
| 200-3633 |
1979-11-00 |
Kontaktbauelemente, Steckverbinder 1/14, technische Bedingungen |
| 200-3796/01 |
1981-03-00 |
Elektrische Informationstechnik, neutrale elektromagnetische Relais NSF 30, Hauptmaße, Löteigenschaften, Lieferung |
| 200-3796/02 |
1975-04-00 |
Elektrische Informationstechnik, neutrale elektromagnetische Relais NSF 30, Kennwerte für NSF 30.1 und NSF 30.6 |
| 200-3796/03 |
1975-04-00 |
Elektrische Informationstechnik, neutrale elektromagnetische Relais NSF 30, Kennwerte für NSF 30.2 und NSF 30.3 |
| 200-3796/04 |
1975-04-00 |
Elektrische Informationstechnik, neutrale elektromagnetische Relais NSF 30, Kennwerte für NSF 30.4 und NSF 30.5 |
| 200-3800 |
1985-09-00 |
Kotakt-Bauelemente, HF-Steckverbinder 2/6,6; Bajonettfesthaltung, technische Bedingungen |
| 200-3819/01 |
1986-07-00 |
Kontaktbauelemente, Steckverbinder 7/25, Anschlussmaße |
| 200-3819/02 |
1986-07-00 |
Kontaktbauelemente, Steckverbinder 7/25, technische Bedingungen |
| 200-3820 |
1973-12-00 |
Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 8-31/50-90x10, Hauptkennwerte |
| 200-7037/02 |
1981-12-00 |
Heimelektronik, UKW-Eingangsteil Typ 2 mit Drehkondensatorabstimmung, technische Forderungen |
| 200-8002 |
1966-03-00 |
Elektronenröhren, Empfangerröhren EC 360 |
| 200-8004 |
1966-09-00 |
Elektronenröhren, Empfangerröhren EY 51 |
| 200-8011 |
1974-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Germanium-Diodenpaar, 2 GA 109 |
| 200-8012 |
|
ZA 250/1 bis ZA 250/24 |
| 200-8013 |
|
GA 106 (OA 647) / GA 107 (OA 666) |
| 200-8014 |
|
OA 601 / OA 602 / OA 603 / OA 604 / OA 605 |
| 200-8015 |
1982-06-00 |
Elektronenröhren, Senderöhre SRV 355, technische Bedingungen |
| 200-8015 - 1. Änderung |
1984-08-01 |
Elektronenröhren, Senderöhre SRV 355, technische Bedingungen |
| 200-8018 |
1966-05-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhre EF 183 |
| 200-8019 |
1966-05-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhre EF 184 |
| 200-8020 |
1967-11-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhre PL 500 |
| 200-8022 |
1966-10-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhre PC 88 |
| 200-8023 |
1963-04-00 |
Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 4 S 2, Hauptkennwerte |
| 200-8024 |
1967-05-00 |
Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 7 S 3, Hauptkennwerte |
| 200-8025 |
1967-12-00 |
Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 13 S 7, Hauptkennwerte |
| 200-8026 |
1965-11-00 |
Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 10 S 6, Hauptkennwerte |
| 200-8041 |
|
Feste Drahtwiderstände, Baureihe 22; techniche Bedingungen |
| 200-8042 |
1979-10-00 |
Feste und mechanische veränderbare Widerstände, feste Drahtwiderstände, Baureihe 84, technische Bedingungen |
| 200-8043/02 |
1970-11-00 |
Festwiderstände, Drahtwiderstände, Baureihe 24 |
| 200-8077 |
1979-12-00 |
Feste und mechanische veränderbare Widerstände, veränderbare Drahtwiderstände, Baureihe 554, technische Bedingungen |
| 200-8078 |
1970-12-00 |
Veränderbare Widerstände, Normallastdrahtdrehwiderstände, Hauptkennwerte |
| 200-8080 |
1985-09-00 |
Kontaktbauelemente HF-Steckverbinder 1/3,3, Schraubenfesthaltung, technische Bedingungen |
| 200-8127 |
1978-12-00 |
Halbleiterbauelemente, pnp-Hochfrequenztransistoren GF 145, technische Bedingungen |
| 200-8128 |
|
501 / SZ 522 |
| 200-8129 |
1963-09-00 |
Elektronenröhren, Thyratron S1, 3/30 dV, Hauptkennwerte |
| 200-8138 |
|
OA 900 / OA 901 / OA 902 / OA 903 |
| 200-8139 |
|
Selenamplitudenbegrenzer |
| 200-8140 |
1978-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Silizium-npn-Hochfrequenztransistoren SF 136 und SF 137,&xnbsp;technische Bedingungen |
| 200-8141 |
|
OA 720 / OA 721 / OA 741 / OA 780 (GA 106 / GA 107) |
| 200-8142 |
1981-03-00 |
Halbleiterbauelemente, SZX 18/1, SZX 18/5,6 bis SZX 18/33, SZX 19/5,1 bis SZX 19/33, technische Bedingungen |
| 200-8143 |
|
OA 904 / OA 905 |
| 200-8144 |
1965-12-00 |
Elektronenröhren, Anzeigeröhre Z 560 M, Z 5600 M, Z 561 M und Z 5610 M |
| 200-8146 |
1963-06-00 |
Elektronenröhren, dekadische Anzeigeröhre Z 565M, Hauptkennwerte |
| 200-8149 |
1964-11-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhre für Spezialzwecke ECC 865 |
| 200-8151 |
1968-10-00 |
Elektronenröhren, Höchstfrequenzröhren, Reflexklystron HKR 902 |
| 200-8136 |
198012-00 |
Elektronenröhren, Drehanoden-Röntgenröhren DR 150/30/50 ö und DR 151/30/50 ö, technische Bedingungen |
| 200-8137 |
1981-05-00 |
Elektronenröhren, Spektroskopie-Röntgenröhren FS Mo 60/35 ö und FS W 60/35 ö, technische Bedingungen |
| 200-8138 |
|
OA 900 / OA 905 (Gleichrichterdioden kleiner Leistung) |
| 200-8158 |
1963-04-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhre EYY 13, Hauptkennwerte |
| 200-8159 |
1966-01-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhre ECC 813 |
| 200-8238 |
|
GD 150 / GD 160 / GD 170 / GD 175 / GD 180 (Germanium-pnp-Leistungstransistoren) |
| 200-8240 |
|
GD 100 / GD 110 / GD 120 / GD 130 (Germanium-pnp-Leistungstransistoren) |
| 200-8253 |
|
GS 100 (Germanium-pnp-Schalttransistor) |
| 200-8276 |
1967-07-00 |
Festkondensatoren, Papier-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Forderungen, Prüfung und Lieferung |
| 200-8277 |
1967-07-00 |
Festkondensatoren, Metallpapier-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Forderungen, Prüfung und Lieferung |
| 200-8278/01 |
1976-12-00 |
Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Forderungen |
| 200-8278/02 |
1975-12-00 |
Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren, Prüfung, Lieferung |
| 200-8279 |
1974-08-00 |
Festkondensatoren, Tantal-Elektrolyt-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Forderungen, Prüfung und Lieferung |
| 200-8281/01 |
1975-12-00 |
Festkondensatoren, Polystyrol-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Forderungen |
| 200-8281/02 |
1975-12-00 |
Festkondensatoren, Polystyrol-Kondensatoren, Prüfung, Lieferung |
| 200-8290 |
|
SC 100 / SC 103 / SC 104 / SS 101 / SS 102 (Silizium-p-n-p-NF-Transistor) |
| 200-8292 |
|
OA 910 (Kapazitätsdiode) |
| 200-8294/02 |
1967-12-00 |
Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Typ IB, Einfachkapazitäten, zylindrisch, axialer Drahtanschluss, Hochvolt, Hauptkennwerte |
| 200-8302 |
|
Selenstabgleichrichter im HP-Rohr |
| 200-8320 |
|
GF 140 / GF 141 / GF 142 / GF 143 (Germanium-p-n-p-HF-Transistor) |
| 200-8328/02 |
1965-06-00 |
Magnetomechanische Bandfilter, Einseitenbandfilter MF 450 ñ E-0310, Hauptkennwerte |
| 200-8329 |
1965-05-00 |
Halbleiterbauelemente, Diodenquartett 4 GA 114 |
| 200-8330 |
1967-09-00 |
Elektronenröhren, Ionisationsvakuummeterröhre MR 04 |
| 200-8332 |
1967-12-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhre EL 500 |
| 200-8336 |
1965-08-00 |
Halbleiterbauelemente, Halbleiterdioden-Paar 2 GA 113 |
| 200-8351 |
1968-04-00 |
Drehwiderstände, HF-Spannungsteiler, Hauptkennwerte |
| 200-8352 |
|
GY 099 / GY 105 (Germanium-Gleichrichterdioden für Ströme bis 0,1 A) |
| 200-8353 |
|
GY 109 / GY 115 (Germanium-Gleichrichterdioden für Ströme bis 1A) |
| 200-8355 |
|
GA 108 / OA 686 |
| 200-8361 |
|
GY 120 / GY 125 (Germanium-Gleichrichterdioden für Ströme bis 10A) |
| 200-8364 |
|
GAY 60 / GAY 61 / GAY 62 / GAY 63/ GAY 64 (Schaltdiode) |
| 200-8365 |
|
SY 160 / SY 162 / SY 164 / SY 166 (Silizium-Gleichrichterdiode für Ströme bis 10 A) |
| 200-8373 |
1965-11-00 |
Elektronenröhren, Leistungsschaltröhre Z 0,7/100U |
| 200-8377 |
|
:GAZ 15 / GAZ 17 (Schaltdiode) |
| 200-8379 |
|
GAZ 14 / GAZ 16 (Schaltdiode) |
| 200-8385 |
1984-08-00 |
Elektronenröhren, Sendedoppeltetrode SRS 4453, technische Bedingungen |
| 200-8389 |
1975-08-00 |
Halbleiterbauelemente, Germanium-pnp-Schalttransistoren GS 109, GS 111, GS 112 |
| 200-8390 |
|
GF 100 / GF 105 (Germanium-pnp-HF-Transistor) |
| 200-8391 |
1975-08-00 |
Halbleiterbauelemente, Germanium-pnp-Niederfrequenztransistoren GC 100 und GC 101 |
| 200-8392 |
|
GC 115 / GC 116 / GC 117 / GC 118 (Germanium-pnp-NF-Transistor) |
| 200-8393 |
|
GC 120 / GC 121 / GC 122 / GC 123 (Germanium-pnp-NF-Transistor) |
| 200-8394 |
|
SY 100 / SY 130 (Silizium-Gleichrichterdiode für Ströme bis 1A) |
| 200-8398 |
|
SY 200 / SY 210 (Silizium-Gleichrichterdiode für Ströme bis 1A) |
| 200-8399 |
|
SF 131 / SF 132 |
| 200-8405 |
1974-12-00 |
Elektronenröhren, Senderöhre SRS 326 |
| 200-8406 |
1965-12-00 |
Elektronenröhren, Senderöhre SRS 302 |
| 200-8408 |
1965-12-00 |
Elektronenröhren, Verstärkertriode VRS 328 |
| 200-8409 |
1965-12-00 |
Elektronenröhren, Verstärkertriode VRS 331 |
| 200-8410 |
1968-10-00 |
Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 7 S 4 |
| 200-8413 |
1969-12-00 |
Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 10 S 4 |
| 200-8419 |
|
SF 121 / SF 122 / SF 123 |
| 200-8423 |
1985-07-00 |
Festkondensatoren, Polystyrol-Zwillings-Kondensatoren freitragend, technische Bedingungen |
| 200-8427 |
1981-03-00 |
Festkondensatoren, Polystyrol-Kondensatoren im zylindrischen Metallgehäuse mit Drahtanschluss,&xnbsp;technische Bedingungen |
| 200-8430 |
1971-11-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhren PFL 200 |
| 200-8439 |
1983-12-00 |
Halbleiterbauelemente, Silizium-npn-Hochfrequenz-Transistoren SF 126 bis SF 129C und 129D,&xnbsp;technische Bedingungen |
| 200-8441 |
1966-09-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhre DY 51 |
| 200-8442 |
1985-06-00 |
Halbleiterbauelemente, Widerstände für Zündzwecke, technische Bedingungen |
| 200-8444 |
1970-12-00 |
Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 13 S 8 |
| 200-8447/01 |
1971-04-00 |
Festkondensatoren, metallisierte Polycarbonatfolie-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Bedingungen, Prüfung und Lieferung |
| 200-8447/02 |
1978-10-00 |
Festkondensatoren, metallisierte Polycarbonatfolie-Kondensatoren MKC 1, zylindrische mit axialen Drahtanschlüssen, technische Bedingungen |
| 200-8448 |
1967-09-00 |
Elektronenröhren, Grobstruktur-Röntgenröhre GE 200/8ö |
| 200-8451 |
1984-08-00 |
Elektronenröhren, Sendetetrode SLR 460, technische Bedingungen |
| 200-8466 |
1982-07-00 |
Halbleiterbauelemente, Schaltdioden SAY 30, SAY 32, SAY 40, SAY 42, SAY 50, SAY 52, SAY 60, SAY 62, technische Bedingungen |
| 200-8469 |
|
GP 119 / GP 120 / GP 121 / GP 122 (Photodioden) |
| 200-8473 |
1967-12-00 |
Elektronenröhren, Magnetron HMI 942 |
| 200-8474 |
1967-11-00 |
Elektronenröhren, Anzeigeröhre Z 570 M und Z 5700 M |
| 200-8486 |
1981-03-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände, feste Schichtwiderstände Baureihe 145, technische Bedingungen |
| 200-8491 |
1969-12-00 |
Drehwiderstände, Einfach-Schichtwiderstände mit gerändelter Kunststoffwelle, Kenngröße 2, 4 und 8, Hauptkennwerte |
| 200-8493/01 |
1977-12-00 |
Einstellbare Kondensatoren, Keramik-Trimmerkondensatoren Nennspannung 400V, technische Bedingungen |
| 200-8493/02 |
1968-09-00 |
Scheibentrimmer, Nenngleichspannung 250V, Hauptkennwerte |
| 200-8506 |
1968-04-00 |
Elektronenröhren, Kaltkatoden - Relaisröhre Z 865 W |
| 200-8510 |
1968-09-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhre PL 504 |
| 200-8511 |
1986-03-00 |
Kontaktbauelemente, Steckverbinder 13/60, technische Bedingungen |
| 200-8512 |
1967-12-00 |
Festwiderstände, Schichtwiderstände, Baureihe 19 |
| 200-8513 |
1979-11-00 |
Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Typ IA, Einfachkapazitäten, zylindrisch
axialer Drahtanschluss,Hochvolt, technische Bedingungen |
| 200-8514 |
1979-12-00 |
Festkondensatoren,Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Typ IA, Einfachkapazitäten, zylindrische Schraub- und Flachsockel, einseitiger Lötfahnenanschluss, Hochvolt, technische Bedingungen |
| 200-8515 |
1979-12-00 |
Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Typ IA, Mehrfachkapazitäten, zylindrische Schraubsockel, einseitiger Lötfahnenanschluss, Hochvolt, technische Bedingungen |
| 200-8519 |
1986-02-00 |
Festkondensatoren, Tantal-Festkörper-Kondensatoren, zylindrisch, hermetisch dicht, technische Bedingungen |
| 200-8520 |
1969-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Germanium-pnp-Niederfrequenz, Leistungs-Transistoren GD 240, GD 241, GD 242, GD 243 und GD 244 |
| 200-8533 |
|
SAY 10 / SAY 11 / SAY 14 / SAY 15 (Schaltdioden) |
| 200-8543 |
1969-05-00 |
Elektronenröhren, Stabilisatorröhren SStR 85/5 |
| 5151/01 |
1975-12-00 |
Festkondensatoren; Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren TYP 2A, zylindrisch, Schraubsockel, einseitiger Lötfahnenanschluss, Niedervolt; Hauptkennwerte |
| 5155 |
1982-08-00 |
Festkondensatoren; Polystyrol-Kondensatoren exzentrisch axial; Technische Bedingungen |
| 7198 |
1986-03-00 |
Festkondensatoren; Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren; zylindrisch, axiale Anschlussdrähte, Niedervolt, Typ 2A; Technische Bedingungen |
| 8095 |
1966-01-00 | Halbleiterelemente; Germanium-Dioden; 0A 625, 0A 645, 0A 665, 0A 685, 0A 705; GA 100, GA 101, GA 102, GA 103, GA 104 |
| 8096 |
1974-01-00 |
Halbleiterbauelemente; Germanium-Diode; GA 105 |
| 8098 |
|
OC 816 / OC 817 / OC 818 / OC 820 / OC 821 / 2 OC 821 / OC 822 / OC 823 |
| 8728/01 |
1987-04-00 |
Feste Widerstände für die Anwendung in elektronischen Geräten; Feste Schichtwiderstände Baureihe 25; Technische Bedingungen |
| 8728/02 |
1982-12-00 |
Feste und mechanische Widerstände; Feste Schichtwiderstände Baureihe 250; Technische Bedingungen |
| 8751 |
1975-04-00 |
Festkondensatoren; Metallpapier-Kondensatoren; Mehrfachkapazitäten, Prismatisch; Kleinreihe |
| 8754 |
1981-09-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; veränderbare Drahtwiderstände Baureihen 434, 444 und 474; Technische Bedingungen |
| 8836/01 |
1989-05-00 |
Heimelektronik; Hörrundfunkempfangsgeräte und -kombinationen; Allgemeine technische Bedingungen |
| 8836/02 |
1977-09-00 |
Elektronische Heimgeräte, Hörrundfunkempfänger; Technische Bedingungen für Reiseempfänger und Reiseempfängerkombinationen |
| 8836/04 |
1975-12-00 |
Elektronische Heimgeräte, Hörrundfunkempfänger; Typprüfung, Allgemeine Angaben und Prüfbedingungen |
| 8836/05 |
1974-12-00 |
Heimelektronik; Hörrundfunkempfänger; Typprüfung, Allgemeine Angaben und Prüfbedingungen |
| 8836/09 |
1974-12-00 |
Heimelektronik; Hörrundfunkempfänger; Akustische Prüfungen |
| 8837 |
1988-12-00 |
Autoempfänger, Autokassenradios und -kassengeräte in Kraftfahrzeugen; Einbaumaße und -bedingungen |
| 8838/01 |
1979-02-00 |
Heimelektronik; Fernsehrundfunkempfänger; Technische Bedingungen |
| 8838/02 |
1979-02-00 |
Heimelektronik; Fernsehrundfunkempfänger; Allgemeine Prüfbedingungen für die Typprüfung |
| 8838/03 |
1979-02-00 |
Heimelektronik; Fernsehrundfunkempfänger; Typprüfung |
| 8838/06 |
1984-07-00 |
Elektronische Heimgeräte; Fernsehrundfunkempfänger; Sicherheitstechnische Forderungen für Arbeiten in Laboratorien, Werkstätten, Prüffeldern, an Prüf- und Reparaturplätzen |
| 9089 |
1979-11-00 |
Festkondensatoren; Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren; Typ 2A mit Lötstiften, Hochvolt für gedruckte Schaltungen; Technische Bedingungen |
| 9100 |
1985-11-00 |
Veränderbare Schichtwiderstände, Baureihe 635 (Baureihe 645 identisch, aber mit zweipoligem Drehschalter) und Baureihe 685 (Baureihe 695 identisch, aber mit zweipoligem Drehschalter); technische Bedingungen |
| 9102 |
|
Veränderbare Schichtwiderstände (Doppelpotientiometer), Baureihe 725 (Baureihe 735 identisch, aber mit zweipoligem Drehschalter); technische Bedingungen |
| 9103 |
1982-03-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 575 und 605; Technische
Bedingungen |
| 9463 |
1986-01-00 |
Elektronenröhren; Sendetriode SRL 351; Technische Bedingungen |
| 9467 |
1984-08-00 |
Elektronenröhren; Sendetriode SRL 353; Technische Bedingungen |
| 9468 |
1984-08-00 |
Elektronenröhren; Sendetriode SRL 354; Technische Bedingungen |
| 9479 |
1984-08-00 |
Elektronenröhren; Sendetriode SRL 457; Technische Bedingungen |
| 9480 |
1988-11-00 |
Elektronenröhren; Sendetriode SRL 459; Technische Bedingungen |
| 10002 |
1985-08-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 0,2 A mit 2 Kontakten; Technische Bedingungen |
| 10003 |
1985-08-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 0,2 A 2 mit 11 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10004 |
1985-08-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 0,2 A bis 2 x 6 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10005 |
1985-08-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 0,2 A bis 4 x 3 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10006 |
1980-03-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 2 A bis 5 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10007 |
1980-03-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 2 A 6 bis 9 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10008 |
1980-03-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 2 A 10 bis 15 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10009 |
1980-03-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 2 A 16 bis 24 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10010 |
1985-12-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 4 A bis 11 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10011 |
1985-12-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 6 A bis 7 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10012 |
1985-12-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 10 A bis 7 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10013 |
1985-12-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 4 A bis 36 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10014 |
1985-12-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 6 A bis 24 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10015 |
1985-12-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 10 A bis 24 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10016 |
1985-12-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 4 A bis 57 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10017 |
1985-12-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 6 A bis 37 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10018 |
1985-12-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 10 A bis 37 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10118 |
1978-12-00 |
Elektronenröhren; Diagnostik-Röntgenröhren DE 50/5 ö; technische Bedingungen |
| 10119 |
1978-12-00 |
Elektronenröhren; Diagnostik-Röntgenröhren DE 60/10 ö; technische Bedingungen |
| 10128 |
1980-12-00 |
Elektronenröhren; Diagnostik-Röntgenröhren DE 125/30/50 ö; technische Bedingungen |
| 10395/01 |
1978-11-00 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder 8-30/47-8 3x20; IP 00 Messerbreite 3 mm; Technische Bedingungen |
| 10395/02 |
1978-11-00 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder 8-30/47-8 3x20; IP 00 Messerbreite 2,5 mm; Technische Bedingungen |
| 10790/02 |
1972-02-00 |
Festkondensatoren; Metallpapier-Kondensatoren; zylindrisch mit Drahtanschluss dicht; Hauptkennwerte |
| 10793/02 |
1976-09-00 |
Festkondensatoren; Lack-Kondensatoren MKL 2; zylindrisch mit axialen Drahtanschlüssen |
| 10793/03 |
1978-12-00 |
Festkondensatoren; Lack-Kondensatoren MKL 3; prismatisch; Technische Bedingungen |
| 10822 |
1985-08-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 1A bis 12 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10825 |
1978-04-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 1,5 A bis 8 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 11054 |
|
OC 824 / OC 825 / OC 826 / OC 827 / OC 828 / OC 829 |
| 11055 |
|
O4A657 (Universal-Diodenquartett) |
| 11886 |
|
Veränderbare Schichtwiderstände (Einstellbare Kohleschichtwiderstände in offener Bauform), Baureihe 585 und 595; technische Bedingungen |
| 11887 |
|
Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 645 und 695; technische Bedingungen |
| 11901 |
|
Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 735; technische Bedingungen |
| 11902 |
|
Veränderbare Schichtwiderstände (Tandempotentiometer) der Baureihen 655 und 705; technische Bedingungen |
| 12216 |
|
Feste Schichtwiderstände (Festwertschichtwiderstände für den Einsatz bei hohen Frequenzen), Baureihe 33 (axiale Form, kappenlos, axial bedrahtet); technische Bedingungen |
| 12221 |
1987-04-00 |
Halbleiterbauelemente; Selengleichrichter in Freiflächenbauart, technische Bedingungen |
| 12536 |
|
OC 870 / OC 871 / OC 872 |
| 13782 |
|
SF 357 / SF 358 / SF 359 (siehe auch TGL 32651) |
| 14122/02 |
1979-12-00 |
Festkondensatoren; Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Typ IB; Hochvolt; technische Bedingungen |
| 14281/03 |
1986-03-00 |
Thermistoren; Heißleiter; Heißleiter für Kompensationszwecke mit Drahtanschluss; technische Bedingungen |
| 14846 |
1984-12-00 |
Elektrische Nachrichtentechnik; Buchsenteile; 30-40/200 x 12 IP 00 |
| 14893 |
1987-07-00 |
Elektronenröhre, Empfängersperröhre HSE 952, technische Bedingungen |
| 14975 |
|
2 OA 646 |
| 14976 |
|
OA 722 / OA 723 |
| 14977 |
|
OA 647 / OA 666 |
| 14978 |
|
OA 601 / OA 602 / OA 603 / OA 604 |
| 14979 |
|
OA 605 (ZA 250/5; ZA 250/6; ZA 250/7; ZA 250/8; ZA 250/9) |
| 14980 |
|
OA 900 / OA 901 / OA 902 / OA 903 |
| 23223/07 |
1989-03-00 |
Mechanische Frequenzfilter, Elektrochemische Bandfilter, Monolithische piezokeramische Bandfilter für Ton-ZF, 5,5 6,0 und 6,5 MHz, Technische Bedingungen |
| 24099/01 |
1972-09-00 |
Keramik-Kleinkondensatoren, Scheibenkondensatoren rund, Typ IB, Nennspannung 250 V, Hauptkennwerte |
| 24099/02 |
1972-09-00 |
Keramik-Kleinkondensatoren, Scheibenkondensatoren rund, Typ II, Nennspannung 250 V, Hauptkennwerte |
| 24100/03 |
1976-05-00 |
Keramik Kleinkondensatoren, Scheibenkondensatoren rechteckig, Qualitätskennziffern und Bewertung |
| 24101/02 |
1974-04-00 |
Keramik-Kleinkondensatoren, Durchführungskondensatoren mit Schraubbefestigung, Typ II, Hauptkennwerte |
| 24102/01 |
1976-04-00 |
Festkondensatoren, Keramik-Mehrschichtkondensatoren, Typenreihe K 10-9, Technische Forderungen, Lieferung |
| 24102/02 |
1976-04-00 |
Festkondensatoren, Keramik-Mehrschichtkondensatoren, Typenreihe K 10-9, Prüfung |
| 24165/14 |
1984-04-00 |
Elektronenröhren, Fotovervielfacher M4 FC 520, Technische Bedingungen |
| 24165/01 |
1979-06-00 |
Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Allgemeine technische Bedingungen |
| 24165/05 |
1982-03-00 |
Elektronenröhren, Fotovervielfacher, M 11 FVC 520, M 11 FVC 521, Technische Bedingungen |
| 24165/07 |
1985-11-00 |
Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typgruppe 10-29, Technische Bedingungen |
| 24165/08 |
1985-11-00 |
Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typgruppe 12-52, Technische Bedingungen |
| 24165/09 |
1985-11-00 |
Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typgruppe 12-35, Technische Bedingungen |
| 24165/10 |
1985-11-00 |
Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typgruppe 3-19, Technische Bedingungen |
| 24165/11 |
1985-11-00 |
Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typgruppe 10-19, Technische Bedingungen |
| 24165/12 |
1977-11-00 |
Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typenreihe 10-30 |
| 24165/13 |
1977-12-00 |
Elektronenröhren, Fotovervielfacher, M 11 FVS 300, Technische Bedingungen |
| 24187 |
1969-12-00 |
Elektronenröhren, Impulsmagnetron HMI 954 |
| 24197/01 |
|
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Begriffe |
| 24197/02 |
|
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; technische Bedingungen |
| 24197/03 |
|
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Nenngröße |
| 24285 |
1989-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Siliziumgleichrichterdioden SY 170 und SY 171, Technische Bedingungen |
| 24341 |
1978-10-00 |
Halbleiterbauelemente, npn-Hochfrequenztransistor SF 240, Technische Bedingungen |
| 24546 |
1982-07-00 |
Halbleiterbauelemente, Schaltdioden, SAM 42 bis SAM 45, SAM 62 bis SAM 65, Technische Bedingungen |
| 24589/11 |
1981-12-00 |
Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKG 1302, Technische Bedingungen |
| 24589/02 |
1981-09-00 |
Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, Allgemeine technische Bedingungen |
| 24589/06 |
1986-12-00 |
Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKR 2001, Technische Bedingungen |
| 24589/07 |
1981-12-00 |
Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKR 3601, Technische Bedingungen |
| 24589/08 |
1982-03-00 |
Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKR 2701, Technische Bedingungen |
| 24589/09 |
1982-05-00 |
Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKR 1301, Technische Bedingungen |
| 24589/10 |
1981-09-00 |
Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKG 2703, Technische Bedingungen |
| 24683 |
1987-05-00 |
Kontaktbauelemente, Steckverbinder 6/10 und 32/22, Anschlussnahme |
| 24685 |
1988-03-00 |
Kontaktbauelemente, Steckverbinder 6/10, Technische Bedingungen |
| 24687 |
1988-10-00 |
Kontaktbauelemente, Steckverbinder 32/22, Technische Bedingungen |
| 24726 |
|
SF 245 |
| 24742 |
|
SM 103 / SM 104 |
| 24925 |
1979-12-00 |
Halbleiterbauelemente, Selen-Klammergleichrichter, Technische Bedingungen |
| 24926 |
|
Selenblockgleichrichter im Metallgehäuse |
| 24927 |
|
Selenkleinstgleichrichter |
| 24928/01 |
1980-03-00 |
Halbleiterbauelemente, Selen-Hochspannungsgleichrichter, Stabgleichrichter in Keramikrohr, Technische Bedingungen |
| 24928/02 |
1981-03-00 |
Halbleiterbauelemente, Selen-Hochspannungsgleichrichter, Stabgleichrichter in Plastrahmen, Technische Bedingungen |
| 24931 |
1980-06-00 |
Halbleiterbauelemente, Selen-Stabilisatoren, Technische Bedingungen |
| 24952 |
1978-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Silizium-npn-Schalttransistoren SSY 20 und SSY 21, Technische Bedingungen |
| 25180 |
1987-05-00 |
Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 1,6/ 9,7, Bajonettfesthaltung, Technische Bedingungen |
| 25182 |
1987-12-00 |
Ultraschallverzögerungsleitungen 64 µs für Farbfernsehempfänger, Technische Bedingungen |
| 25184 |
|
SAY 12 / SAY 16 / SAY 17 / SAY 18 / SAY 20 |
| 25186 |
1985-07-00 |
Elektronenröhren, Endikon F 2,5 M 3 UR, Endikon F 2,5 M3 aUR, Technische Bedingungen |
| 25289 |
|
ST 121/1 bis /12 (Silizium-Thyristor mittlerer Leistung 23A) |
| 25603/02 |
1980-04-00 |
Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 7/16, Schraubfesthaltung, Technische Bedingungen |
| 25604 |
1982-08-00 |
Festkondensatoren, Polyester-Kondensatoren, zylindrisch für gedruckte Schaltung, Technische Bedingungen |
| 25652 |
|
U 101 D |
| 25653 |
|
U 102 D |
| 25654 |
|
U 103 D |
| 25655 |
|
U 104 D |
| 25656 |
|
U 105 D |
| 25733 |
|
ST 111/1 bis /12 (Silizium-Thyristor mittlerer Leistung 13A) |
| 25734 |
|
SZ 600-Reihe (Silizium-Leistungs-Z-Diode) |
| 25763 |
|
SY 250/0,5 bis 10 (Silizium-Gleichrichterdiode für Ströme bis 250A) |
| 25916 |
|
SF 150 |
| 26152 |
|
D 100 D / E 100 D / D 110 D / E 110 D / D 120 D / E 120 D / D 130 D / E 130 D / D140 D / E 140 D |
| 26153 |
|
D 150 D / E 150 D / D 151 D / E 151 D / D 153 D / E 153 D / D 154 D / E154 D |
| 26154 |
|
Selenblockgleichrichter im Plastgehäuse |
| 26172 |
|
U 106 D |
| 26173 |
1978-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Logikschaltkreis U 107 D, Technische Bedingungen |
| 26174 |
|
U 108 D |
| 26175 |
|
U 109 D |
| 26176 |
|
UB 880 D / VB 880 D / UA 880 D |
| 26177 |
1978-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer statischer 5-Bit-Schiebe-Register-Schaltkreis U311 D, Technische Bedingungen |
| 26178 |
1978-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Serienspeicherschaltkreis U 352 D, Technische Bedingungen |
| 26187 |
|
U 352 D (dynamischer 64-bit-Serienspeicher) |
| 26432 |
|
SMY 50 |
| 26525 |
1985-09-00 |
Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 8/28, Schraubfesthaltung, Technische Bedingungen |
| 26526/01 |
1981-05-00 |
Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 13/50, Schraubfesthaltung, Wellenwiderstand 50 Ohm, Anschlussmaße |
| 26526/02 |
1981-05-00 |
Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 13/50, Schraubfesthaltung, Technische Bedingungen |
| 26529 |
|
SMY 51 |
| 26530 |
|
SMY 52 |
| 26629 |
1977-12-00 |
Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren, Prismatisch, für gedruckte Schaltung, Technische Bedingungen, Typ II |
| 26713 |
|
B 460 G |
| 26818 |
1978-12-00 |
Halbleiterbauelemente, npn-Schalttransistoren, SS 216, SS 218 und SS 219, Technische Bedingungen |
| 26819/1 |
|
SF 215 / SF 216 |
| 26820 |
|
SY 180 / SY 180A |
| 26838 |
1980-10-00 |
Kontaktbauelemente HF-Steckverbinder 11/39, 22/77, 34/120 Flanschfesthaltung, Wellenwiderstand 75 Anschlußmaße |
| 26906/01 |
1980-02-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände, Veränderbare Drahtwiderstände, Baureihe 490, Technische Bedingungen |
| 26906/02 |
1977-06-00 |
Widerstände, Veränderbare Drahtwiderstände, Baureihe 490, Kenngrößen 490.2151; 490.2159; 490.2171; 490.0209 und 490.0211 |
| 26906/03 |
1977-06-00 |
Widerstände, Veränderbare Drahtwiderstände, Baureihe 490, Kenngrößen 490.0408; 490.0409; 490.0411; 490.0413; 490.0415 und 490.0416 |
| 26915 |
1976-12-00 |
Mikroelektronik. Monolitisch integrierte NAND-Schaltkreise K 158 LA 3, K 158 LA 4, K 158 LA 1 und K 158 LA 2 |
| 26980 |
1988-04-00 |
Festkondensatoren, Kunststofffolie-Kondensatoren, metallisiert, Polyester-Kondensatoren (MKT) für Gleichstrom Klasse 1 und Klasse 2, Allgemeine technische Bedingungen |
| 27141/1 |
|
SC 206 / SC 207 |
| 27143 |
|
SS 200 / SS 201 / SS 202 |
| 27144 |
1978-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Silizium-npn-Schalttransistoren, SS 106, SS 108 und SS109, Technische Bedingungen |
| 27145 |
1978-10-00 |
Halbleiterbauelemente, npn-Hochfrequenztransistor, SF 225, Technische Bedingungen |
| 27146 |
1978-10-00 |
Halbleiterbauelemente, npn-Hochfrequenztransistor, SF 235, Technische Bedingungen |
| 27147 |
1978-10-00 |
Halbleiterbauelemente, npn-Hochfrequenztransistor, SC 236 bis SC 239, Technische Bedingungen |
| 27148 |
|
D 103 D / E 103 D / D 126 D / E 126 D / D 151 D / E 151 D / D 154 D / E 154 D / D 160D / E 160 D |
| 27231 |
1985-09-00 |
Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 2/6,6,Schraubfesthaltung, Technische Bedingungen |
| 27338 |
1985-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Z-Dioden, SZX 21/1, SZX 21/5,1 bis SZX 21/24, Technische Bedingungen |
| 27423 |
|
Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 513 und 523; technische Bedingungen |
| 27616/01 |
1985-06-00 |
Heimelektronik, Tonbandgeräte, Allgemeine technische Bedingungen |
| 27616/03 |
1985-08-00 |
Heimelektronik, Tonbandgeräte, Prüfung |
| 27617/03 |
1985-11-00 |
Heimelektronik, Schallplatten-Abspieleinrichtungen, Prüfung |
| 27617/03 - 1. Änderung |
1988-02-10 |
Heimelektronik, Schallplatten-Abspieleinrichtungen, Prüfung |
| 27874 |
|
Feste Schichtwiderständen (Festwertschichtwiderstände für hohe Nennverlustleistungen), Baureihe 81; technische Bedingungen |
| 27940 |
1981-12-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände, Veränderbare Schichtwiderstände, Baureihe 455, Technische Bedingungen |
| 27975 |
|
SAL 41 / SAL 43 / SAL 45 (Schaltdioden) |
| 27977 |
|
D 172 D / E 172 D |
| 28109 |
|
A 281 D |
| 28220 |
|
ST 103 |
| 28364 |
1989-06-00 |
Halbleiterbauelemente; Schalterdiode SA 412; Technische Bedingungen |
| 28462 |
|
D 200 D / D 210 D / D 220 D / D 230 D |
| 28466 |
1981-11-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare Speicher-Schaltkreise D 181 C / E 181 D und S 181 D; Technische Bedingungen |
| 28467 |
1981 |
D 195 D / E 195 D |
| 28468 |
1981-11-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare Speicher-Schaltkreise D 191 C, D 191 D, E 191 C und E 191 D; Technische Bedingungen |
| 28597 |
1973-09-00 |
Elektrische Informationstechnik; Steckverbinder 12-26/19,6-38x13 IP00; Griffschalen, Streckplatten, Bügel |
| 28660/01 |
1987-05-00 |
Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Allgemeine technische Bedingungen |
| 28660/02 |
1977-06-00 |
Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Technische Forderungen für HiFi-UKW-Empfangsteile |
| 28660/03 |
1982-12-00 |
Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Technische Bedingungen für Schallplatten-Abspieleinrichtungen |
| 28660/04 |
1987-05-00 |
Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Technische Bedingungen für Tonbandgeräte |
| 28660/05 |
1985-04-00 |
Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Technische Bedingungen für NF-Verstärker |
| 28660/06 |
1980-12-00 |
Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Gehäuselautsprecher, Einbaulautsprecher, Technische Forderungen, Mess- und Prüfmethoden |
| 28660/11 |
1982-12-00 |
Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Technische Bedingungen für Schallplatten- Abtastsysteme |
| 28813 |
1978-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare NAND-Schaltkreise D 200 C, D 210 C, D 220 C, D 230C, D 200 D, D 210 D, D 220 D und D 230 D; Technische Bedingungen |
| 28814 |
|
D 240 D |
| 28815 |
|
D 251 D |
| 28816 |
|
D 274 D |
| 28818 |
1979-09-00 |
Halbleiterbauelemente; Siliziumgleichrichterdioden SY 320; Technische Bedingungen |
| 28873 |
1981 |
A 109 D / B 109 D |
| 28874 |
1985-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare Komparator- Schaltkreise A 110 D und B 110 D; Technische Bedingungen |
| 29053 |
1981 |
SA 418 |
| 29107 |
|
A 211 D |
| 29108 |
1984 |
A 281 D |
| 29247 |
1989-06-00 |
Halbleiterbauelemente; Schaltdiode SA 403; Technische Bedingungen |
| 29263 |
1981 |
D 204 D |
| 29264 |
1981 |
D 254 D |
| 29265 |
1981-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare BCD-ZU-7-Segment-Dekoder-Schaltkreise D 146 C, D 147 C, E 147 C, D 146 D, D 147 D und E 147 D; Technische Bedingungen |
| 29266 |
|
D 174 D / E 174 D |
| 29267 |
1981-11-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare BCD-ZU-7-Segment-Dekoder-Schaltkreise D 192 C, D 192 D, E 192 C, E 192 D, D 193 C, D 193 D, E 193 C und E 193 D; Technische Bedingungen |
| 29363 |
|
D 201 D / D 204 D |
| 29364 |
|
D 254 D |
| 29270 |
1987-11-00 |
Halbleiterbauelemente; Siliziumgleichrichter in Freiflächenbauart mit SY 170, SY 171 |
| 29330 |
1975-02-00 |
Mikroelektronik; Monolithischer Integrierter Leseverstärker-Schaltkreis D122 C und D 123 C |
| 29331/01 |
1984-12-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 7-90-48-128 x 13; Technische Bedingungen |
| 29331/02 |
1975-12-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Verteilerleisten 30-87/88 x 9,5 |
| 29331/03 |
1988-02-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 15-90/88-128 x 13,5; Technische Bedingungen |
| 29331/04 |
1977-12-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 5-39/28-48 x 13,5; Technische Bedingungen |
| 29331/04 - 1. Änderung |
1983-03-31 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 5-39/28-48 x 13,5; Technische Bedingungen |
| 29331/05 |
1988-08-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Montageleisten 3-8/28-88 x 13,5; Technische Bedingungen |
| 29331/06 |
1977-05-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 10-33/88 x 13,5,;Technische Bedingungen |
| 29331/06 - 1. Änderung |
1983-03-31 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 10-33/88 x 13,5; Technische Bedingungen |
| 29331/07 |
1977-09-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 3-8/28-88 x 13,5; Technische Bedingungen |
| 29331/08 |
1983-05-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Zubehörteile, Technische Bedingungen |
| 29331/09 |
1978-08-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Hilfswerkzeuge, Technische Bedingungen |
| 29331/12 |
1982-10-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 4-6/12,5 x 7,5, Technische Bedingungen |
| 29331/13 |
1979-08-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 44/88 x 13,5, Technische Bedingungen |
| 29331/14 |
1987-03-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 41/88 x 13,5, Technische Bedingungen |
| 29475 |
1976-12-00 |
Mikroelektronik. Monolithisch integrierte AND-NOR-Schaltkreise K 158 LR 1 und K 158 LR (ältere Ausgabe) |
| 29475 |
1981 |
E 126 D (jüngere Ausgabe (Fkt. Ident.) |
| 29509 |
|
SA 418 |
| 29954 |
|
ST 108 |
| 29955 |
|
VK 11 / VK 12 / VK 15 |
| 29958 |
|
U 821 D (Rechnerschaltkreis) |
| 29969 |
1979-10-00 |
Halbleiterbauelemente; SI- Fotodioden SP 101 bis SP 103; Technische Bedingungen |
| 31243 |
|
VQA 12 |
| 31245 |
1979-10-00 |
Halbleiterbauelemente. Lichtemitteranzeigen VQB 71, VQB 73. Technische Bedingungen |
| 31281/01 |
1975-12-00 |
Einstellbare Kondensatoren; Keramik-Trimmerkondensatoren; Begriffe, Technische Forderungen, Lieferung |
| 31281/02 |
1975-12-00 |
Einstellbare Kondensatoren; Keramik-Trimmerkondensatoren; Prüfung |
| 31296 |
1986 |
SU 160 |
| 31298 |
1982-01-00 |
Halbleitebauelemente. Infrarotemitterdiode VQ 110. Technische Bedingungen |
| 31299 |
1978-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Programmwahlschalkreis U 700 D; Technische Bedingungen |
| 31427/01 |
1976-04-00 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder der Rechentechnik; Steckbinder 20-135/27, 2-132,5 x 12,6 |
| 31427/01 - 1. Änderung |
1984-04-26 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder der Rechentechnik; Steckbinder 20-135/27, 2-132,5 x 12,6 |
| 31427/02 |
1976-04-00 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder der Rechentechnik; Steckbinder 46-90/132-140 x 10,2 |
| 31427/02 - 1. Änderung |
1980-01-31 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder der Rechentechnik; Steckbinder 46-90/132-140 x 10,2 |
| 31427/03 |
1978-08-00 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder der Rechentechnik; Griffelemente, Technische Bedingungen |
| 31428 |
1986-07-00 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder 5/21; Technische Bedingungen |
| 31428/01 |
1975-12-00 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder 5/21. Anschlussmaße |
| 31428/02 |
1975-12-00 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder 5/21. Hauptkennwerte |
| 31429 |
1975-12-00 |
Festkondensatoren. Polyester - Kondensatoren zentrisch axial. Hauptkennwerte |
| 31453 |
|
A 220 D |
| 31456 |
|
A 205 D / A 205 K |
| 31457 |
|
A 230 D |
| 31459 |
|
A 240 D |
| 31461 |
1983-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare Initiator Schaltkreise A 301 D und A 301 W; Technische Bedingungen |
| 31462 |
1978-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare Initiator Schaltkreise D 491 D und D 492 W; Technische Bedingungen |
| 31463 |
|
A 250 D |
| 31685 |
|
SU 165 (Si-npn-Leistungsschalttransistor) |
| 31905 |
|
SY 330 |
| 31906 |
|
SY 335 |
| 31053 |
|
U 705 D |
| 32054 |
1977-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Decoder- Schaltkreis U 711 D; Technische Bedingungen |
| 32055 |
1978-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Decoder- Schaltkreis U 121 D und U 122 D; Technische Bedingungen |
| 32056 |
|
U 710 D |
| 32058 |
1978-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise. Unipolarer Mikroprozessor-Schaltkreis U 808 D. technische Bedingungen |
| 32060 |
1978-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise;Unipolarer Decoder- Schaltkreis U 253; Technische Bedingungen |
| 32114 |
1982-01-00 |
Halbleiterbauelemente; optoelektronischer Koppler MB 101; Technische Bedingungen |
| 32115 |
|
SP 201 |
| 32116 |
1987-11-00 |
Halbleiterbauelemente; Fototransistor SP 211; Technische Bedingungen |
| 32339 |
|
SAY 73 |
| 32414 |
1987-06-00 |
Feste und mechanische veränderbare Widerstände; Dickfilmschaltkreise Baureihe 483; Technische Bedingungen |
| 32422 |
1984-03-00 |
Kontaktbauelemente; Miniaturdrehschalter für starre Leiterplatten; Technische Bedingungen |
| 32441 |
1983-10-00 |
Elektrische Informationstechnik; Relais mit Schutzrohrkontaktsystemen RGK 20/1 und RGK 20/2 |
| 32442 |
1976-12-00 |
Elektrische Informationstechnik. Neutrales elektromagnetisches Relais GBR 111 |
| 32533 |
1978-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Frequenzteilerschaltkreis U 112 D; Technische Bedingungen |
| 32537 |
1988 |
A 302 D |
| 32648 |
1984 |
E 104 D, E 108 D |
| 32649 |
1976-12-00 |
Mikroelektronik. Monolithisch integrierter J-L-Flip-Flop-Schaltkreis K 158 TW 1 |
| 32650 |
1987 |
A 244 D |
| 32651 |
1984 |
SF 357 / SF 358 / SF 359 |
| 32874 |
1984-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Festwertspeicherschaltkreis U551D; Technische Bedingungen |
| 32944 |
|
SMY 60 (Si-Doppel-MOS-FET vom p-Kanal-Anreicherungstyp) |
| 32988 |
|
VQA 13 (TGL ersetzt durch 38468) |
| 32989 |
1979-03-00 |
Halbleiterbauelemente; Lichtemitteanzeige VQB 37; Technische Bedingungen |
| 32990 |
|
SY 185 |
| 33015 |
|
U 111 D |
| 33554 |
|
SU 161 (Si-npn-Leistungsschalttransistor) |
| 33555 |
|
SD 168 |
| 33965 |
|
Kunststofffolie-Kondensatoren, prismatisch; technische Bedingungen |
| 34064 |
1987-06-00 |
Feste uns mechanische veränderbare Widerstände; Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 583 und 593; Technische Bedingungen |
| 34151 |
1977-04-00 |
Halbleiterbauelemente. Tunneldioden AI 301 A, B, W, G. Technische Bedingungen |
| 34158 |
1980-01-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium - Dual - Gate - MOS - Feldeffekttransistoren KP 306 A, B, W; Technische Bedingungen |
| 34160 |
1983-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolarer Zeitgeber- Schaltkreis B 555 D; Technische Bedingungen |
| 34160 - 1. Änderung |
1987-04-20 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolarer Zeitgeber-Schaltkreis B 555 D; Technische Bedingungen |
| 34163 |
|
KT 805 |
| 34164 |
|
KT 326 |
| 34166 |
|
KT 802 |
| 34167 |
1977-12-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium - Sperrschicht - Feldeffekttransistoren KP 303 A, B, W, G, D, E, SH, I; Technische Bedingungen |
| 34168 |
1984 |
A 290 D |
| 34169 |
1976-12-00 |
Mikroelektronik. Monolithisch bipolare NAND-Schaltkreise K 1 LB 553, K 1 LB 554, K 1 LB 551, K 1 LB 552 und K 1 LB 556 (neue Bezeichnung: K155LB3, K155LB4, K155LB1, K155LB2, K155LB6) |
| 34170 |
1976-12-00 |
Mikroelektronik. Monolithisch bipolare AND-NOR-Schaltkreise K 1 LR 551 und K 1 LR 553 (neue Bezeichnung: K155LR1, K155LR3) |
| 34171 |
1976-12-00 |
Mikroelektronik. Monolithisch bipolaren Expander-Schaltkreis K 1 LP 551 (neue Bezeichnung: K155LP1) |
| 34172 |
1976-12-00 |
Mikroelektronik. Monolithisch bipolarer J-K-Flop-Schaltkreis K 1 TK 551 (neue Bezeichnung: K155TK1) |
| 34173 |
1976-12-00 |
Mikroelektronik. Monolithisch bipolarer J-K-Flop-Schaltkreis K 1 TK 552 (neue Bezeichnung: K155TK2) |
| 34177 |
|
KT 803 |
| 34701 |
1989 |
SP 104 |
| 34766 |
1979-09-00 |
Halbleiterbauelemente; Lichtemitteranzeigeeinheit VQD 30; Technische Bedingungen |
| 34815 |
1982-03-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Festwertspeicherschaltkreis U 505 D; Technische Bedingungen |
| 34816 |
1986-04-00 |
Halbleiterbauelemente; Lichtemitterdiode VQA 15; Technische Bedingungen |
| 34817 |
|
VQA 23 (ersetzt durch TGL 38468) |
| 34818 |
|
VQA 33 (ersetzt durch TGL 38468) |
| 34827 |
|
KT 911 |
| 34830 |
|
KT 904 |
| 34831 |
|
KT 603 |
| 35149 |
1977-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Monolithischer Bipolarer Ton- ZF- Verstärker- Schaltkreis A 223 D; Technische Bedingungen |
| 35151 |
|
A 231 D |
| 35169 |
1977-10-00 |
Kontaktbauelemente. Steckverbinder 4-9/34,5-46,5 x 28 |
| 35170 |
1988-04-00 |
Halbleiterbauelemente; optoelektronischer Koppler MB 110; Technische Bedingungen |
| 35171 |
1988-04-00 |
Halbleiterbauelemente; optoelektronischer Koppler MB 111; Technische Bedingungen |
| 35172 |
1987-11-00 |
Halbleiterbauelemente; Infrarotemitterdiode VQ 120; Technische Bedingungen |
| 35199 |
|
KT 203 |
| 35200 |
1986-08-00 |
Halbleiterbauelemente; Silicium-pnp-NF-Transistoren KT 209, A, B, W, G, D, E, Sh, I, K, L, M; Technische Bedingungen |
| 35201 |
|
KT 501 |
| 35202 |
|
KT 368 |
| 35204 |
1981-06-00 |
Integrierte Halbleiterbauelemente; 4 MHz-Uhrenschaltkreis U 114 D und U 124 D; Technische Bedingungen |
| 35274/01 |
1978-05-00 |
Elektrotechnik; Handlöten mit Lötkolben; Abnahmebedingungen für Lötausführungen an Lötfahnen |
| 35274/02 |
1978-05-00 |
Elektrotechnik; Handlöten mit Lötkolben; Abnahmebedingungen für Lötausführungen auf bestückten Leiterplatten |
| 35274/03 |
1987-10-00 |
Elektrotechnik; Handlöten; Verfahren zum Weichlöten an Lötanschlüssen |
| 35333 |
1979-04-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Statischer Lese-Schreib-Speicher U 202 D; Technische Bedingungen |
| 35334 |
1981-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Teilerschaltkreis D 351 D und E 351 D; Technische Bedingungen |
| 35335 |
1981-03-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Zeitschaltkreise D 355 D, E 355 D und E 356 D; Technische Bedingungen |
| 35336 |
|
D 461 D |
| 35404 |
|
KT 363 |
| 35405 |
|
KT 345 |
| 35406 |
|
KT 347 |
| 35407 |
|
KT 920 |
| 35408 |
|
KT 922 |
| 35409 |
|
KT 925 |
| 35515 |
|
B 340 D / B 341 D |
| 35555 |
1984 |
B 222 D |
| 35765 |
1987-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolarer Lautstärke- und Balance-Einstell-Schaltkreis A 273 D; Technische Bedingungen |
| 35766 |
1987-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolarer Höhen- und Tiefeneinstell- Schaltkreis A 274 D; Technische Bedingungen |
| 35767 |
1988 |
A 202 D |
| 35775 |
1980-12-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Drahtwiderstände Baureihe 194; Technische Bedingungen |
| 35776 |
1980-12-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Drahtwiderstände Baureihe 402; Technische Bedingungen |
| 35777 |
1980-12-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Drahtwiderstände Baureihe 412; Technische Bedingungen |
| 35778 |
1982-10-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Drahtwiderstände Baureihe 84.5; Technische Bedingungen |
| 35779 |
1980-09-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Drahtwiderstände Baureihe 552; Technische Bedingungen |
| 35780 |
1979-12-00 |
Festkondensatoren; Keramik-Scheibenkondensatoren rechteckig, Typ IB; Nennspannung 63 V; Technische Bedingungen |
| 35781 |
1979-12-00 |
Festkondensatoren; Keramik-Scheibenkondensatoren rechteckig, Typ II; Nennspannung 63 V; Technische Bedingungen |
| 35797 |
1985-08-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare NF-Verstärker-Schaltkreise A 209 K, A 210 E, A 210 E2, A 210 K, A 210 K2; Technische Bedingungen |
| 35798 |
1986-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare NF-Verstärker-Schaltkreise A 225 D; Technische Bedingungen |
| 35799 |
|
SY 360 |
| 35833 |
1978-12-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-Dual-Gate Mos-Feldefekt-Transistoren KP 350 A, B, W; Technische Bedingungen |
| 35835 |
|
KT 371 |
| 35836 |
|
KT 372 |
| 35837 |
|
UB 855 D / VB 855 D / UA 855 D |
| 35838 |
1984-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer UV-löschbarer Festwertspeicher-Schaltkreis U 552 C; Technische Bedingungen (U855D ?) |
| 35866 |
1980-03-00 |
Rotierende elektrische Maschinen; Gleichstrom-Kleinstmotor permanenterregt mit genutztem Läufer; Typ 1223.3 |
| 35869 |
1979-06-00 |
Rotierende elektrische Maschinen; Gehäusemotoren für Kassetten-Heimbandgeräte; Typen 1120.5 und 1120.5/1 |
| 35950 |
|
U 706 D |
| 36076 |
1983-05-00 |
Elektrische Informationstechnik; Neutrale elektromagnetische Relais GBR 20.1 |
| 36083 |
1979-03-00 |
Bestückte Leiterplatten; Schwalllöten |
| 36369 |
1979-09-00 |
Halbleiterbauelemente; Lichtemitteranzeigeeinheit VQD 32, VQD 32-2; Technische Bedingungen |
| 36370 |
1986-07-00 |
Halbleiterbauelemente; Silicium-npn-UHF- Transistoren KT 382, A, B, AM, BM; Technische Bedingungen |
| 36371 |
1979-06-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-Leitungstransistoren KT 704, A, B, W; Technische Bedingungen |
| 36372 |
1979-06-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-Leitungstransistoren KT 809 A; Technische Bedingungen |
| 36373 |
1979-06-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-Leitungstransistoren KT 812, A, B, W; Technische Bedingungen |
| 36374 |
1979-06-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-HF-Transistoren KT 913, A, B, W; Technische Bedingungen |
| 36375 |
1979-06-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-HF-Transistoren KT 918, A, B; Technische Bedingungen |
| 36376 |
1979-06-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-HF-Transistoren KT 919, A, B, W, G; Technische Bedingungen |
| 36377 |
1979-06-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-HF-Transistoren KT 926, A, B; Technische Bedingungen |
| 36515 |
1979-12-00 |
Mechanische Frequenzfilter; Monolithisches Frequenzfilter MQF 10,7 - 0350; Technische Bedingungen |
| 36516 |
979-12-00 |
Mechanische Frequenzfilter; Monolithisches Frequenzfilter MQF 10,7-1800/1/2 Technische Bedingungen |
| 36516 - 1. Änderung |
1982-08-00 |
Mechanische Frequenzfilter; Monolithisches Frequenzfilter MQF 10,7-1800. Technische Bedingungen |
| 36521 |
1982-08-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Schichtwiderstände Baureihe 23; Technische Bedingungen |
| 36523 |
1986-04-00 |
Mechanische Frequenzfilter; Oberflächenwellenfilter MSF 38,9; Technische Bedingungen |
| 36523 - 1. Änderung |
1988-08-15 |
Mechanische Frequenzfilter; Oberflächenwellenfilter MSF 38,9; Technische Bedingungen |
| 36608 |
1986-04-00 |
Halbleiterbauelemente; Siliciumgleichrichterdioden SY 345; Technische Bedingungen |
| 36609 |
1985-06-00 |
Halbleiterbauelemente; optoelektronische Koppler MB 104/4, MB 104/5, MB 104/6; Technische Bedingungen |
| 36664 |
1980-09-00 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder 20/60; Technische Bedingungen |
| 36665 |
1989-09-00 |
Kontaktbauelemente; Fassungen für integrierte Schaltkreise; Fassung 18-48/24,5-63 x 19,9; Technische Bedingungen |
| 36737 |
1984-09-00 |
Keramik-Hochfrequenz-Leistungskondensatoren; Scheibenkondensatoren; Technische Bedingungen |
| 36737 - 1. Änderung |
32766 |
Keramik-Hochfrequenz-Leistungskondensatoren; Scheibenkondensatoren; Technische Bedingungen |
| 36740 |
1980-01-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-MOS-Feldeffekttransistoren KP 305 D, E, Sh, I; Technische Bedingungen |
| 37001 |
|
UB 856 D / VB 856 D / UA 856 D |
| 37002 |
|
UB 857 D / VB 857 D / UA 857 D |
| 37003 |
|
UB 858 D / UA 858 D |
| 37019 |
1987-04-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Kurzschlussfester Treiber-Schaltkreis E 435 E; Technische Bedingungen |
| 37025 |
1980-01-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-pnp-NF-Transistoren KT 3107 A, B, W, G, D, E, Sh, I, K, L; Technische Bedingungen |
| 37026 |
1980-01-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-pnp-NF-Transistoren KT 816 A, B, W, G; Technische Bedingungen |
| 37027 |
|
KT 502 |
| 37028 |
1980-01-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-pnp-NF-Transistoren KT 630 A, B, W, G, D, E; Technische Bedingungen |
| 37029 |
|
UB 8563 D / VB 8563 D / UA 8563 D |
| 37203 |
1989-07-00 |
Kontaktbauelemente; Flachsteckverbinder 1-18/5-90 x 4; Technische Bedingungen |
| 37212 |
1982-04-00 |
Elektrische Informationstechnik; Neutrale elektromagnetische Relais GBR 10; Relais 10.1 und Relais GBR 10.2 |
| 37212 - 1. Änderung |
1985-10-09 |
Elektrische Informationstechnik; Neutrale elektromagnetische Relais GBR 10; Relais 10.1 und Relais GBR 10.2 |
| 37359 |
|
UB 8860 M / UB 8861 M |
| 37360 |
|
UB 8810 D / UB 8811 D |
| 37370 |
|
KT 382 A, B, AM/BM |
| 37512 |
|
D 410 D |
| 37513 |
|
B 308 D / B 318 D |
| 37514 |
1981-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolarer Ansteuerschaltkreis für Schaltnetzteile B 260 D; Technische Bedingungen |
| 37518 |
1982-09-00 |
Halbleiterbauelemente; Silicium-npn-Leitungsschalttransistoren SU 167 und SU 169; Technische Bedingungen |
| 37558 |
|
KT 503 |
| 37559 |
1986-08-00 |
Halbleiterbauelemente; Silicium-npn-UHF-Transistoren KT 640, A-2- B-2, W-2; Technische Bedingungen |
| 37560 |
|
KT 814 |
| 37562 |
1986-08-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Vier-Bit-Binär-Dezimaldekoder-Schaltkreis K 155 ID3; Technische Bedingungen |
| 37609 |
1988 |
MB 104 |
| 37634 |
1981-12-00 |
Festkondensatoren; Polypropylen- Kondensatoren zentrisch-axial; Technische Bedingungen |
| 37787 |
1981-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Festwertspeicher-Schaltkreis U 555 C; Technische Bedingungen |
| 37787 - 1. Änderung |
1989-01-04 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Festwertspeicher-Schaltkreis U 555 C; Technische Bedingungen |
| 37788 |
|
U 830 D |
| 37791 |
|
U 834 D |
| 37871 |
|
SC 307 / SC 308 / SC 309 |
| 37872 |
|
KT 815 |
| 37873 |
|
KT 817 |
| 37903 |
1984-04-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Biopolarer-Bild-ZF-Verstärker-Schaltkreis A 241 D; Technische Bedingungen |
| 37903 - 1. Änderung |
1988-10-16 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Biopolarer-Bild-ZF-Verstärker-Schaltkreis A 241 D; Technische Bedingungen |
| 37905 |
1987-11-00 |
Halbleiterbauelemente; Lichtemitterdiode VQA 25; Technische Bedingungen |
| 37906 |
1987-11-00 |
Halbleiterbauelemente; Lichtemitterdiode VQA 35; Technische Bedingungen |
| 37911 |
1983-12-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Schichtwiderstände Baureihe 121; Technische Bedingungen (prismatische Bauform, einseitige Anschlussbedrahtung) |
| 37960 |
|
KT 934 |
| 37961 |
|
KT 818 |
| 37962 |
|
KT 819 |
| 38005 |
|
U 202 DA |
| 38007 |
1985-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer RGB-Matrix-Schaltkreis, A232D, Technische Bedingungen |
| 38008 |
1982 |
B 654 D |
| 38009 |
1985 |
A 255 D |
| 38011 |
1981-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer LED-Ansteuerschaltkreis, A277D, Technische Bedingungen |
| 38012 |
1980-11-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Empfänger-Schaltkreis, A283D, Technische Bedingungen |
| 38013 |
1982-03-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Ansteuerschaltkreis für Schrittmotoren D394D, Technische Bedingungen |
| 38014 |
|
C 520 D |
| 38015 |
1986-05-00 |
Halbleiterbauelemente, Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Halbleiterschaltkreise, Bildung der Typebezeichnungen und Gestaltung der Typenkennzeichnung |
| 38021 |
1980-11-00 |
Halbleiterbauelemente, npn-Transistor mit hoher Sperrspannung, SF 369, Technische Bedingungen |
| 38031 |
1982-04-00 |
Elektrische Informationstechnik, Neutrale elektromagnetische Relais, GBR15, Relais GBR 15.1 und Relais GBR 15.2 |
| 38031 - 1. Änderung |
1984-03-27 |
Elektrische Informationstechnik, Neutrale elektromagnetische Relais, GBR15, Relais GBR 15.1 und Relais GBR 15.2 |
| 38145 |
1981-05-00 |
Halbleiterbauelemente, Seilen- Blitzschutzdioden BD1 und BD2, Technische Bedingungen |
| 38158 |
1983-11-00 |
Festkondensatoren, Polystyrol- Kondensatoren, Prismatisch stehende Ausführung, Technische Bedingungen |
| 38159 |
1982-06-00 |
Festkondensatoren, Polystyrol- Kondensatoren, Zylindrisch, zentralisch-axial, Technische Bedingungen |
| 38198 |
1989-09-00 |
Kontaktbauelemente, Knöpfe für Tastenschalter |
| 38221 |
1982-04-00 |
Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren für Tonfrequenzen bis 50 kHz, Niedervolt, axiale Ausführung, Typ IIA, Technische Bedingungen |
| 38282 |
1982-05-00 |
Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände Baureihe 55, Technische Bedingungen |
| 38283 |
1982-05-00 |
Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände Baureihe 45, Technische Bedingungen |
| 38378 |
1987-09-00 |
Mechanische Frequenzfilter, Elektromechanischer Frequenzfilter MF 200-0900/7, Technische Bedingungen |
| 38454 |
|
Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren für geschaltete Netzteile, axial Anschlüsse Niedervolt, Typ I A, technische Bedingungen |
| 38455 |
1983-11-00 |
Kontaktbauelemente. Steckverbinder 8-Polig. Technische Bedingungen |
| 38462 |
1981 |
SCE 237 / SCE 238 / SCE 239 |
| 38463 |
1984 |
SFE 235 |
| 38464 |
1984 |
SFE 245 |
| 38465 |
1988 |
SSE 216 / SSE 219 |
| 38466 |
|
SY 351 |
| 38467 |
1983-04-00 |
Flüssigkristallbauelemente. Flüssigkristallanzeigen. Hauptmaße |
| 38468 |
|
VQA 10 / VQA 13 / VQA 13-1 / VQA 23 / VQA 33 |
| 38469 |
1982-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeigeeinheit, VQC10, Technische Bedingungen |
| 38470 |
1983-07-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdiodenreihe VQF10-1, Technische Bedingungen |
| 38461 |
1981-05-00 |
Elektronenröhren, Magnetron HMD 244, Technische Bedingungen |
| 38467 |
1983-04-00 |
Flüssigkristallelemente, Flüssigkristallanzeigen, Hauptmaße |
| 38468 |
1987-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden, VQA10, VQA13, VQA13-1, VQA23, VQA33, Technische Bedingungen |
| 38469 |
|
VQC 10 |
| 38518 |
1981-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer programmierbarer Triac-, Thyristor- und Transistor-Ansteuer-Schaltkreis U708D, Technische Bedingungen |
| 38519 |
1988-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer LCD-Ansteuer-Schaltkreis U714 PC, Technische Bedingungen |
| 38520 |
|
U 806 D |
| 38521 |
1989-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Fernbedienungs-Sender-Schaltkreis U807DC, Technische Bedingungen |
| 38524 |
1982-04-00 |
Festkondensatoren, Motor-Betriebs-Kondensatoren MKV Zylindrisch, Technische Bedingungen |
| 38525 |
1988-06-00 |
Festkondensatoren, Motor-Betriebs-Kondensatoren MKP Zylindrisch, Technische Bedingungen |
| 38529 |
1987-10-00 |
Festkondensatoren, Keramik-Scheibenkondensatoren, rund mit Kleinstwertkapazitäten, Klasse 1 Nenngleichspannung 100 V, Technische Bedingungen |
| 38530 |
1986-10-00 |
Festkondensatoren, Polystyrol-Kondensatoren KS radial, Technische Bedingungen |
| 38532 |
1988-03-00 |
Feste Widerstände für die Anwendung in elektronischen Geräten, Feste Chipwiderstände, Nenngröße 315.1206, Technische Bedingungen |
| 38518 |
|
U 708 D |
| 38567 |
|
SP 105 |
| 38584 |
|
Metallisierte Polypropylen-Kondensatoren MKPI. Zylindrisch; technische Bedingungen |
| 38590 |
1982-04-00 |
Einstellbare Kondensatoren, Keramik-Trimmerkondensatoren, Nennspannung 160V, Technische Bedingungen |
| 38593 |
1982-10-00 |
Festkondensatoren, Funk-Entstörkondensatoren, 250 V Nennwechselspannung, Klasse y, Mischdielektrikum, technische Bedingungen |
| 38603 |
1982-06-00 |
Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände Baureihe 173, Technische Bedingungen |
| 38604 |
1982-06-00 |
Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände Baureihe 183, Technische Bedingungen |
| 38605 |
1984-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Logikschaltkreise, V4001D, V4011D, V4012D, V4023D, V4030D, Technische
Bedingungen |
| 38607 |
|
UB 8830 D / UB 8831 D |
| 38657 |
1981-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Inverter-Schaltkreise, D104D, E104D und Bipolare AND-Schaltkreise D108D, E108D, Technische Bedingungen |
| 38658 |
|
B 451 G / B452 G / B 453 G / B 461 G / B 462 G |
| 38675 |
1982-10-00 |
Festkondensatoren, Metallisierte Polyesterkondensatoren MKT3, Prismatisch, Technische Bedingungen |
| 38679 |
1981-12-00 |
Halbleiterbauelemente, Ladungsgekoppelte Sensorteile L110C, Technische Bedingungen |
| 38690 |
1983-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Dynamischer Schreib-Lese-Speicher-Schaltkreis U256C und U256D, Technische Bedingungen |
| 38691 |
1983-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Treiber-Schaltkreis V40098D, Technische Bedingungen |
| 38692 |
1983-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise,
Schmitt-Trigger-Schaltkreise V4093D, Technische Bedingungen |
| 38693 |
1983-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Decoder-Schaltkreis V40511D, technische Bedingungen |
| 38694 |
1983-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Treiber-Schaltkreis V4050D, Technische Bedingungen |
| 38739 |
|
KT 391 |
| 38740 |
|
KT 313 |
| 38748 |
1985-02-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden, VQA60, VQA70, VQA80, Technische Bedingungen |
| 38799 |
|
KT 117 |
| 38908 |
|
Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren mit axialen Anschlussdrähten, Niedervolt; technische Bedingungen |
| 38925 |
1982-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Operationsverstärkerschaltkreise, B611D, B615D, B621D, B625D, B631D, B635D, B761D, B765D, B861D, B865D, B2761D, B2765D, B4761D und B4765D, Technische Bedingungen |
| 38928 |
1987-04-00 |
Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren mit einseitigen Anschlussdrähten, Niedervolt, Technische Bedingungen |
| 38929 |
1982-04-00 |
Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände mit definiertem Frequenzverhalten Baureihe 17 und 27, Technische Bedingungen |
| 38929 - 1. Änderung |
1985-12-20 |
Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände mit definiertem Frequenzverhalten Baureihe 17 und 27, Technische Bedingungen |
| 38965 |
|
TANTAL-Festkörper-Kondensatoren, tropfenförmig, technische Bedingungen |
| 38979 |
1986-03-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Operationsverstärker-Schaltkreise, B176D und B177D, technische Bedingungen |
| 38995 |
1983-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Statische Lese-Schreib-Speicher-Schaltkreis, U215D, U215D1, U225D, U225D1, Technische Bedingungen |
| 38996 |
1984-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolare Logikschaltkreise, V4013D, V4027D, Technische Bedingungen |
| 38997 |
1984-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolare Logikschaltkreise, V4015D, V4028D, Technische Bedingungen |
| 38998 |
1984-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolare Logikschaltkreise, V4035D, Technische Bedingungen |
| 38999 |
1984-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolare Logikschaltkreise, V4042D, Technische Bedingungen |
| 39000 |
1982-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Kurzschlussfester Treiberschaltkreis E412D, Technische Bedingungen |
| 39001 |
1982-05-00 |
HalbleiterBauelemente, Silizium-pnp-Hochfrequenz Transistoren SF 116 bis SF 119, Technische Bedingungen |
| 39013 |
1982-08-00 |
Festkondensatoren, Polyester-Kondensatoren, prismatisch, Technische Bedingungen |
| 39014 |
1984-07-00 |
Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 795 und 805, Technische Bedingungen |
| 39121 |
1981-12-00 |
Elektronenröhren. Endikon F 2,5 M 51 A , Endikon F 2,5 M 51 B. Technische Bedingungen |
| 39123 |
1984-08-00 |
Halbleiterbauelemente, Silizium-Niederfrequenz-Leistungstransistoren, npn- SD335, SD337, SD339, pnp-SD336, SD338, SD340, Technische Bedingungen |
| 39125 |
1984-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Silizium-Niederfrequenz-Leistungstransistoren, npn- SD345, SD347, SD349, pnp-SD346, SD348, SD350, Technische Bedingungen |
| 39352 |
1983-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitteanzeigen, VQE21 bis VQE24, Technische Bedingungen |
| 39353 |
1987-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA18, VQA28, VQA38, Technische Bedingungen |
| 39358 |
1981-12-00 |
Rechentechnik. Elektronischer Taschenrechner. MR 412 und MR 609. Technische Bedingungen |
| 39402 |
1983-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Operationsverstärker K140UD7, Technische Bedingungen |
| 39422 |
1987-06-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA14, VQA24, VQA34, Technische Bedingungen |
| 39490 |
1988-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Operationsverstärker-Schaltkreise, B 080 D / B 081 D / B 082 D / B 083 D / B 084 D B080D/Dm/Dp/Dt bis B084D/Dm/Dp/Dt, Technische Bedingungen |
| 39609 |
1983-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare NF-Leistungsverstärker-Schaltkreise, A2030H und A2030V, Technische Bindungen |
| 39681 |
|
Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren für geschaltete Netzteile, Becher mit Schraubanschlüssen, Niedervolt; technische Bedingungen |
| 39700 |
1988-09-00 |
Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdiode VQ 130, technische Bedingungen |
| 39701 |
1988-09-00 |
Halbleiterbauelemente, Fotodiode SP 104, technische Bedingungen |
| 39704 |
1985-08-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Spannungsregler-Schaltkreise, B3170V, B3171V, B3370V und B3371V, Technische Bedingungen |
| 39705 |
1985-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Operationsverstärker-Schaltkreise B060D, B061D, B062D, B064D und B066D, Technische Bedingungen |
| 39722 |
1983-07-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA16, VQA26, VQA 36, VQA 46, Technische Bedingungen |
| 39723 |
1983-07-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA17, VQA27, VQA 37, VQA 47, Technische Bedingungen |
| 39724 |
1983-07-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA19, VQA29, VQA 39, VQA 49, Technische Bedingungen |
| 39797 |
1984-07-00 |
FlüssigkristallBauelemente, Flüssigkristallanzeigen, FAR09A, FAT09A, FAS09A, Technische Bedingungen |
| 39798 |
1984-04-00 |
FlüssigkristallBauelemente, Flüssigkristallanzeigen, FAR13A, FAT13A, FAS13A, FAR19A, FAT19A, FAS19A, Technische Bedingungen |
| 39799 |
1983-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare 4-BIT Latch-Schaltkreise D175D, Technische Bedingungen |
| 39800 |
1983-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Monostabile Multivibrator-Schaltkreise D121D und E121D, Technische Bedingungen |
| 39865 |
1988-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Low-Power-Schottky-TTL-Schaltkreise, DL000D, DL002D, DL003D, DL004D, DL008D, DL010D, DL011D, DL020D, DL021D, DL026D, DL030D, DL074D, Technische Bedingungen |
| 39866 |
1983-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Interface-Schaltkreis, DS8205D, Technische Bedingungen |
| 39891 |
1984 |
SU 180 |
| 39894 |
1985-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Leistungs-NAND-Schaltkreise, DL037D, DL038D und DL040D, Technische Bedingungen |
| 39917 |
1986-07-00 |
Kontaktbauelemente, Steckverbinder 8/25, Technische Bedingungen |
| 39934 |
1984-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Ansteuerschaltkreis für Schrittantriebe D395D, Technische Bedingungen |
| 42047 |
1982-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdiode VQ 121, technische Bedingungen |
| 42070 |
1984-04-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-npn-Transistorarray-Schaltkreise B315D, B315E, B315K, B325D, B325E, B325K, B360D, B360E, B360K, B380D, B380E, B380K, technische Bedingungen |
| 42071 |
1985-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Pal-Dekoder-Schaltkreis A3510D, technische Bedingungen |
| 42072 |
1985-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Secam-Dekoder-Schaltkreis A3520D, technische Bedingungen |
| 42073 |
1985-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Video-Kombinations-Schaltkreis A3501D, technische Bedingungen |
| 42074 |
1986-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Kommutator-Schaltkreis B390D, technische Bedingungen |
| 42075 |
1983-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare BCD-zu-7-Segment-Dekoder-Schaltkreise D345D bis D348D, D346D1, D348D1 und E345D bis E348D, technische Bedingungen |
| 42076 |
1986 |
SU 186 / SU 187 / SU 188 |
| 42101 |
|
L 211 C |
| 42102 |
1987-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden, VQA101, VQA201 VQA301, technische Bedingungen |
| 42170 |
1986-05-00 |
HalbleiteBauelemente, Lichtemitteranzeige VQB 200 und VQB 201, Technische Bedingungen |
| 42171 |
1984-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Operationsverstärker-Schaltkreis K 153 UD5, Technische Bedingungen |
| 42172 |
1984-04-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 2-fach 4:1 Datenselektor/Multiplexer Schaltkreis K 155 KP2, Technische Bedingungen |
| 42173 |
1984-04-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-Exklusiv-ODER-Gatter-Schaltkreis K 155 LP5, Technische Bedingungen |
| 42174 |
1984-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Schaltkreis Typgruppen K 589, Technische Bedingungen |
| 42175 |
1984-04-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-Bit-Volladdierer-Schaltkreis K 155 IM3, Technische Bedingungen |
| 42177 |
1984-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-Leistungstransistor KT 945 B, Technische Bedingungen |
| 42178 |
1984-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-NF-Leistungstransistor KT 837 A, B, W, G, D, E, Sh, I, K, L, M, N, P, R, S, T, U, F, Technische Bedingungen |
| 42180 |
1984-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-NF-Leistungstransistor KT 827 A, B, W, Technische Bedingungen |
| 42181 |
1984-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Silicium-pnp-UHF-Transistor kleiner Leistung KT 3109 A, B, W, Technische Bedingungen |
| 42219 |
|
SY 356 |
| 42222 |
|
U 214 D 20 / U 214 D 30 / U 214 D 45 |
| 42231 |
1986-06-00 |
Halbleiterbauelemente, Fototransistor SP 215, Technische Bedingungen |
| 42232 |
1985-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Statische Schreib-Lese-Speicher U 214 D45, U 214 D30 und U214 D20, Technische Bedingungen |
| 42233 |
1986-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Statische Schreib-Lese-Speicher US 224 D20, U 224 D30 und UH 224 D30, UL 224 D30 und VL 224 D20 Technische Bedingungen(US 224 D 20; US 224 D 30; VL 224 D 20; VL 224 D 30; UL 224 D 20; UL 224 D 30)
|
| 42234 |
1986-03-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Dynamischer Schreib-Lese-Speicher-Schaltkreis U 2164 C20, U 2164 C20/1 und U 2164 C25, Technische Bedingungen |
| 42234 |
|
( U 84 C 30 DC) |
| 42236 |
1987-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Einchiprechnerschaltkreise U8047 PB und U 8047 PG, Technische Bedingungen |
| 42254 |
1988-01-00 |
Halbleiterbauelemente, optoelektronischer Koppler MB 123, technische Bedingungen |
| 42255 |
1984-12-00 |
Halbleiterbauelemente, optoelektronischer Koppler MB 102, technische Bedingungen |
| 42259 |
1984-01-00 |
Elektrische Informationstechnik, Neutrale Elektromagnetische Relais, GBR 7, Grundausführung |
| 42283 |
1984-04-00 |
Flüssigkristall-Bauelemente, Flüssigkristallanzeigen, FAR11A, FAT11A, FAS11A, Technische Bedingungen |
| 42358 |
1984 |
SC 116 / SC 117 / SC 118 / SC 119 |
| 42421 |
1984-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Invertierender Bidirektional-Bus-Treiber, Schaltkreis K 589 AP26, technische Bedingungen |
| 42423 |
1984-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Silizium-pnp-NF-Leistungstransistoren, KT 825 G, D, E, Technische Bedingungen |
| 42424 |
1984-06-00 |
Halbleiterbauelemente, Gehäuseloser Silicium-pnp-SHF-Leistungstransistoren, KT 3101 A-2, Technische Bedingungen |
| 42426 |
1988-12-00 |
Halbleiterbauelemente, optoelektronische Koppler MB 130 bis MB 135, Technische Bedingungen |
| 42466 |
1984-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Doppel-Zeitgeber-Schaltkreis B556 D, Technische Bedingungen |
| 42467 |
1986-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Initiatorschaltkreise B303 D, B304D, B305 D und B306D, Technische Bedingungen |
| 42577 |
1986-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Blinkgeberschaltkreis E310 D, Technische Bedingungen |
| 42578 |
1984-04-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Leistungsoperationsverstärker-Schaltkreis B165 D, B165 V, B165 H1, B165 V1, Technische Bedingungen |
| 42561 |
|
U 61256 DC |
| 42562 |
|
U 4548 DC |
| 42563 |
|
U 6264 DG |
| 42577 |
1986 |
E 310 D |
| 42591 |
1988-12-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeige MQC 11, Technische Bedingungen |
| 42622 |
1984-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Interface-Schaltkreise DS 8216D, DS 8286D und DS 8287D, Technische Bedingungen |
| 42623 |
1986-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Interface-Schaltkreise DS 8212D, DS 8282D und DS 8283D, Technische Bedingungen |
| 42624 |
1986-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Ton-ZF-Verstärkerschaltkreis A224D, Technische Bedingungen |
| 42628 |
|
V 4007 |
| 42629 |
|
V 4027 D; V 4029 D |
| 42630 |
|
V 4034 D |
| 42631 |
|
V 4017 D |
| 42632 |
|
V 4019 D; V 4023 D; V 4048 D; |
| 42633 |
|
V 4044 D |
| 42634 |
|
UB 8840 M / UB 8841 M |
| 42635 |
|
UL 7211 D |
| 42638 |
|
UP 7211 D |
| 42639 |
|
UB 8820 M / UB 8821 M |
| 42643/01 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Baureihe U 74HCT |
| 42643/02 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Gatter U 74HCT00 DK |
| 42643/03 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Gatter U 74HCT02DK |
| 42643/04 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Gatter U 74HCT04DK |
| 42643/05 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Gatter U 74HCT86DK |
| 42643/06 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Flip-Flop U 74HCT74DK |
| 42643/07 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Flip-Flop U 74HCT374DK; U 74HCT534DK |
| 42643/08 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Decoder/Demultiplexer U 74HCT138DK |
| 42643/09 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Transceiver U 74HCT242DK; U 74HCT243DK |
| 42643/10 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Latch U 74HCT373DK; U 74HCT533DK |
| 42643/11 |
|
U 74HCT08DK |
| 42643/12 |
|
U 74HCT20DK |
| 42643/13 |
|
U 74HCT21DK |
| 42643/14 |
|
U 74HCT32DK |
| 42643/15 |
|
U 74HCT175DK |
| 42643/16 |
|
U 74HCT192DK |
| 42643/17 |
|
U 74HCT193DK |
| 42643/18 |
|
U 74HCT241DK |
| 42643/19 |
|
U 74HCT245DK |
| 42643/20 |
|
U 74HCT253DK |
| 42643/21 |
|
U 74HCT257DK |
| 42643/22 |
|
U 74HCT03DK |
| 42644 |
|
U 84 C 40 DC / U 84 41 DC |
| 42649 |
|
U 84 C 20 DC |
| 42653 |
|
U84 C 00 DC |
| 42662 |
|
U 192 D |
| 42663 |
|
U 1056 D (U 1159DC nur Werkstandard: MDS 106) |
| 42699/01 |
1984-10-00 |
Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais EGK 13/1 |
| 42699/01 - 1. Änderung |
1987-03-17 |
Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais EGK 13/1 |
| 42699/02 |
1984-10-00 |
Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais RGS 13/1 |
| 42699/02 - 1. Änderung |
1987-03-17 |
Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais RGS 13/1 |
| 42699/03 |
1984-10-00 |
Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais RGT 13/1 |
| 42699/03 - 1. Änderung |
1987-03-17 |
Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais RGT 13/1 |
| 42737 |
1985-07-00 |
Neutrale Elektromagnetische Relais, GBR 11, GBR 12, GBR 13, Grundausführung |
| 42739 |
1987-08-00 |
Halbleiterbauelemente, Diodenmodule MDD 16, MDD 25, MDD 40 und MDD 63, Technische Bedingungen |
| 42767 |
1985-07-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände, Veränderbare Drahtwiderstände, Baureihe 604 und 614, Technische Bedingungen |
| 42769 |
|
Keramische Vielschicht-Chip-Kondensatoren (KEVC) bis 200 V Nennspannung; allgemeine technische Bedingungen |
| 42777 |
1985-08-00 |
Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-Leistungsschalttransistoren SU 189 und SU 190, technische Bedingungen |
| 42778 |
1987 |
SU 377 / SU 378 / SU 379 / SU 380 |
| 42779 |
1986-03-00 |
Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-Darlington-Leistungstransistor SU 111, technische Bedingungen |
| 42789 |
1988-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer NF-Stereo-Steller-Schaltkreis A 1524D, technische Bedingungen |
| 42836 |
1986-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-UHF-Leistungstransistoren KT 930 A, B, technische Bedingungen |
| 42837 |
1986-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-VHF-Transistor KT 931 A, technische Bedingungen |
| 42878 |
1988 |
MB 105 |
| 42933 |
1986-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Temperaturfühler-Schaltkreise, B 511 N1, B 511 N2, B511 N3, B 511 N4, B 511 Nm, technische Bedingungen |
| 42934 |
1986-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Kleinleistungs-Referenz-Schaltkreis B589 N, technische Bedingungen |
| 42934 - 1. Änderung |
1988-07-20 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Kleinleistungs-Referenz-Schaltkreis B589 N, technische Bedingungen |
| 42940 |
1985-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeigen VQB 16 bis VQB 18, technische Bedingungen |
| 42942 |
1987-12-00 |
Halbleiterbauelemente, Infrarotlasermodul VQ 150, technische Bedingungen |
| 42943 |
1986-06-00 |
Halbleiterbauelemente, Fotodiode SP 106, technische Bedingungen |
| 43012 |
1986 |
V 4046 D |
| 43013 |
1986 |
V 4051 D |
| 43014 |
1986 |
V 4046 D; V 4066 D; |
| 43016 |
1986 |
V 4520 D; V 4531 D; |
| 43017 |
1986 |
V 4538 D; |
| 43018 |
1986 |
V 4585 D |
| 43019 |
|
UB 8001 C / UB 8002 D |
| 43020 |
1987-03-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Speicherverwaltungsschaltkreise, UB 8010 C, Technische Bedingungen |
| 43052 |
|
Festwertschichtwiderstände für Präzisions- und Ultrapräzionsanwendungen, Baureihe 21 (axiale Form, axial bedrahtet); technische Bedingungen |
| 43058 |
|
C 502 D |
| 43070 |
1985-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeigen VQE 205 bis VQE 208, technische Bedingungen |
| 43076 |
|
U 2365 D 30 / U 2365 D 45 |
| 43077 |
|
U 2716 C 35 / U 2716 C 39 / U 2716 C 45 |
| 43078 |
|
U 2616 D |
| 43084 |
1986-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Analogprozessorschaltkreise für integrierende Analog-Digital-Wandler, C500D und C501D, Technische Bedingungen |
| 43084 - 1. Änderung |
1988-10-16 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Analogprozessorschaltkreise für integrierende Analog-Digital-Wandler, C500D und C501D, Technische Bedingungen |
| 43085 |
1986-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Digitalprozessorschaltkreise für integrierende Analog-Digital-Wandler, C502D, Technische Bedingungen |
| 43099 |
1987-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Kamera-Schaltkreis A321G, Technische Bedingungen |
| 43155 |
1985-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Aufnahme-Wiedergabe-Verstärker-Schaltkreis A1818D, Technische Bedingungen |
| 43156 |
1985-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer AM-FM-ZF-Verstärker-Schaltkreis A4100D, Technische Bedingungen |
| 43157 |
1985-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Doppel-NF-Leistungsverstärker-Schaltkreise A2000 V/Vm und A 2005 V/Vm,
Technische Bedingungen |
| 43158 |
1986-03-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Stereo-Decoder-Schaltkreise A4510D und A 4510D1, Technische Bedingungen |
| 43158 - 1. Änderung |
1987-07-20 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Stereo-Decoder-Schaltkreise A4510D und A 4510D1, Technische Bedingungen |
| 43159 |
1987-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Digital-Analog-Wandler-Schaltkreise C656C, C565D, C565C1, C565D1, C5650C, C5650D, C5658 und C5658D, Technische Bedingungen |
| 43199 |
|
Metallisierte Polyesterkondensatoren (zylindrische Bauform, zentrisch-axiale Bedrahtung) |
| 43202 |
1986-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Zweifach-J-K-Flipflop DL 112 D, Technische Bedingungen |
| 43203 |
1986-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Zweifach-monostabiler Multivibrator-Schaltkreis DL 123 D, Technische Bedingungen |
| 43204 |
1986-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Zähler-Schaltkreise DL 192 D, DL193 D, Technische Bedingungen |
| 43205 |
1986-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Zähler-Schaltkreise DL 090 D, DL093 D, Technische Bedingungen |
| 43206 |
1985-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Schmitt-Trigger-Schaltkreise DL 014 D und DL 132 D, Technische Bedingungen |
| 43240 |
|
Feste Widerstände für die Anwendung in elektronischen Geräten; feste Chipwiderstände; allgemeine technische Bedingungen |
| 43268 |
1986-03-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Digitalprozessorschaltkreis für integrierende Analog-Digital-Wandler C504D,
technische Bedingungen |
| 43268 - 1. Änderung |
1986-12-30 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Digitalprozessorschaltkreis für integrierende Analog-Digital-Wandler C504D, technische Bedingungen |
| 43268 - 2. Änderung |
1989-02-10 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Digitalprozessorschaltkreis für integrierende Analog-Digital-Wandler C504D, technische Bedingungen |
| 43269 |
1987-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8-Bit-Analog-Digital-Wandlerschltkreise C570C, C570D und 10-Bit-Analog-Digital-Wandlerschaltkreise C571C, C571D, C571C1, C571D1, Technische Bedingungen |
| 43290 |
1985-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, AND-NOR-Schaltkreis DL051D, Technische Bedingungen |
| 43291 |
1985-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Exklusiv-Oder-Schaltkreis DL086D, Technische Bedingungen |
| 43292 |
1985-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 2-auf4-Dekoder/Demultiplexer-Schaltkreis DL155D, Technische Bedingungen |
| 43293 |
1985-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Vierfach-D-Flipflop-Schaltkreis DL175D, Technische Bedingungen |
| 43294 |
1985-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-Bit-Universalschieberegister-Schaltkreis DL194D, Technische Bedingungen |
| 43295 |
1985-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Multiplexer-Schaltkreise DL251D, DL253D, DL257D, Technische Bedingungen |
| 43295 - 1. Änderung |
1988-03-15 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Multiplexer-Schaltkreise DL251D, DL253D, DL257D, Technische Bedingungen |
| 43296 |
1985-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-Bit-Schieberegister-Schaltkreis DL295D, Technische Bedingungen |
| 43297 |
1985-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8-Bit-Komparator-Schaltkreis DL8121D, DL 2632 D Technische Bedingungen |
| 43298 |
1988-03-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Systemtaktgenerator-Schaltkreis DL8127D, Technische Bedingungen |
| 43299 |
1988-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 12-Bit-A/D-Wandler-Schaltkreis C574C, Technische Bedingungen |
| 43346 |
1988-12-00 |
Halbleiterbauelemente, Siliciumgleichrichterdioden SY 191, technische Bedingungen |
| 43347 |
1988-12-00 |
Halbleiterbauelemente, Siliciumgleichrichterdioden SY 192, technische Bedingungen |
| 43348 |
1987-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Siliciumgleichrichterdioden SY 196, technische Bedingungen |
| 43349 |
1987-02-00 |
Halbleiterbauelemente, Siliciumgleichrichterdioden SY 197, technische Bedingungen |
| 43350 |
1987-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Schottky-Leitungsgleichrichterdioden SY 525, Technische Bedingungen |
| 43351 |
1987-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Schottky-Leitungsgleichrichterdioden SY 526, Technische Bedingungen |
| 43352 |
1987-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Epitaxial-Leitungsgleichrichterdioden SY 625, Technische Bedingungen |
| 43353 |
1987-07-00 |
Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren, Sockel mit Schraubenschlüssel, Hochvolt Typ IA, Technische Bedingungen |
| 43386 |
1986-03-00 |
Halbleiterbauelemente, Silicium-Hochfrequenztransistoren, pnp-SF 816 bis SF 819, npn-SF 826 bis SF 829, Technische Bedingungen |
| 43386 |
1981 |
SF 129 B |
| 43402/03 |
1987-10-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitter-Flachbandanzeige, VQH 604, Technische Bedingungen |
| 43402/05 |
1989-09-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitter-Flachbandanzeigen, VQH 205, VQH 206, VQH 207, Technische Bedingungen |
| 43402/08 |
1988-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitter-Flachbandanzeige, MQH 200, Technische Bedingungen |
| 43403 |
1987-03-00 |
Halbleiterbauelemente, optoelektronischer Koppler MB 106, Technische Bedingungen |
| 43408 |
1987-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS-AD-Wandler-Schaltkreis C7136 D, Technische Bedingungen |
| 43411 |
1987-12-00 |
Halbleiterbauelemente, Siliziumgleichrichterdioden SY 715, Technische Bedingungen |
| 43428 |
1985-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, PCM-Kanalfilterschaltkreis U1001C, Technische Bedingungen |
| 43429 |
1985-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, PCM-Kodier- und Dekodierschaltkreis U1011C, Technische Bedingungen |
| 43558 |
1985-11-00 |
Flüssigkristall-Bauelemente, Flüssigkristallanzeigen, FAR 16A, FAS 16A, FAT 16A, Technische Bedingungen |
| 43559 |
1985-11-00 |
Flüssigkristall-Bauelemente, Flüssigkristallanzeigen, FAR 17A, FAS 17A, FAT 17A, Technische Bedingungen |
| 43590 |
1987 |
SY 710 |
| 43606 |
1986-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, OR-Schaltkreis DL 032 D, Technische Bedingungen |
| 43607 |
1987-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Leitungssender-Schaltkreis DL 2631D, Technische Bedingungen |
| 43608 |
1986-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-Bit-Volladdierer-Schaltkreis DL 083D, Technische Bedingungen |
| 43609 |
1987-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8-Bit-Schieberegister-Schaltkreis DL 164D, Technische Bedingungen |
| 43610 |
1987-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Adressierbarer 8-Bit-Latch-Schaltkreis DL 259 D, Technische Bedingungen |
| 43611 |
1987-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8-Bit-Universalschieberegister-Schaltkreis DL 299D, DL 295 D Technische
Bedingungen |
| 43612 |
1986-08-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8xD-Flip-Flop-Schaltkreis DL 374D, Technische Bedingungen |
| 43613 |
1986-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Leitungstreiber-Schaltkreise DL 540D und DL 541D, Technische Bedingungen |
| 43614 |
1986-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Ansteuerschaltkreis für Leistungstransistoren B 4002D, Technische Bedingungen |
| 43638 |
1987-08-00 |
Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-Darlington-Leistungsschalttransistoren, SU 508, SU 509 und SU 510, technische Bedingungen |
| 43743 |
1987-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Statische Schreib-Lese-Speischer-Schaltkreise U2148D55 und U2148D70, Technische Bedingungen |
| 43746 |
1988 |
SU 389 / SU 390 |
| 43763 |
1986-06-00 |
Halbleiterbauelemente, Fototransistor SP 212, Technische Bedingungen |
| 43764 |
1986-06-00 |
Halbleiterbauelemente, Fototransistor SP 213, Technische Bedingungen |
| 43787 |
1987-05-00 |
Kontaktbauelemente, Fassung für integrierte Schaltkreise, Fassung 24-32/30,5-81x17,7, Technische Bedingungen |
| 43788 |
1987-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Spannungsversorgungsschaltkreis B384D, Technische Bedingungen |
| 43789 |
1987-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Testschaltkreis B385D, Technische Bedingungen |
| 43790 |
1987-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Speiseschaltkreis B386D, Technische Bedingungen |
| 43791 |
1987-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Analog-Prozessor-Schaltkreis für Teilnehmeranschlussschaltungen B3870D, Technische Bedingungen |
| 43792 |
1987-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Dialog-Analog-Wandler-Schaltkreise C560C und C560D, Technische Bedingungen |
| 43795 |
1987-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Drehzahlregel-Schaltkreis B4206D, Technische Bedingungen |
| 43808 |
1987-03-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Graphics-Display-Controller, U82720 DC02;U82720 DC03, U82720 DC04, Technische Bedingungen |
| 43809 |
1987-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Festwertspeicher-Schaltkreise U2732 CC35, U2732 CC39, U2732 CC45, Technische Bedingungen |
| 43810 |
1987-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Festwertspeicher-Schaltkreise U2632 DC45, Technische Bedingungen |
| 43811 |
1987-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Speicherschaltkreise U804 DC, Technische Bedingungen |
| 43812 |
1987-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Einchipmikrorechnerschaltkreis U8611 DC08-xxx, U8611 DC08/01, UL8611 DC08-xxx, UL8611 DC08/01, Technische Bedingungen |
| 43813 |
|
U 82530 DC / U 8030 DC |
| 43818 |
1986-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Gate-Array-Schaltkreis, Typgruppe U5201, Technische Bedingungen |
| 43876 |
1988-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Standardzellenschaltkreise der Typengruppen U 1500 und U 1520, Technische
Bedingungen |
| 43877 |
1987-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden, VQA 102 und VQA 202, Technische Bedingungen |
| 43887 |
1987-09-00 |
Kontaktbauelemente, Steckverbinder 16-96/95x11,1, Bauform C, Technische Bedingungen |
| 43907 |
1988-04-00 |
Festkondensatoren, Metallisierte Polyester-Kondensatoren, (MKT) prismatisch, Klasse 1. Technische Bedingungen |
| 43922 |
1986-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Statische Schreib-Lese-Speicher-Schaltkreise U6516 DG 15, UL6516 DG15 und UL6516 DG 25, Technische Bedingungen |
| 43923 |
1988 |
SU 386 / SU 387 / SU 388 |
| 43929 |
|
DL 051 D |
| 43955 |
1987-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Leitungsempfänger-Schaltkreise DL2632 D und DL2632 D1 für Differenzsignale, technische Bedingungen |
| 43956 |
1988-06-00 |
Halbleiterbauelemente, Komplementäre-Silicium-Darlington-Leistungstransistoren npn BD 643, BD 645, BD647, BD649, pnp BD644, BD646, BD648, BD650, technische Bedingungen |
| 43961 |
1987-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 16-Bit-Serien-Parallel-Wandler-Schaltkreis D718D, Technische Bedingungen |
| 43971 |
1989-05-00 |
Halbleiterbauelemente, Silizium-Niederfrequenz-Transistoren, npn- SCE 535, SCE 537, SCE 539, pnp- SCE 536, SCE 538, SCE 540, technische Bedingungen |
| 43979 |
1989-08-00 |
Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdioden VQ 175, Technische Bedingungen |
| 45025 |
1988-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, DC-DC-Wandler-Schaltkreise U7660 DC, U7660 DG Technische Bedingungen |
| 45026 |
1988 |
SSE 200 / SSE 201 /SSE 202 |
| 45039 |
1987-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Stereo-Decoder-Schaltkreis A 4511D, Technische Bedingungen |
| 45040 |
1988 |
SU 518 / SU 519 / SU 520 |
| 45044 |
1987-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Drehzahlregel-Schaltkreis B 4207D, Technische Bedingungen |
| 45045 |
1987-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Drehzahlregel-Schaltkreis B 4211D, Technische Bedingungen |
| 45046 |
1988-12-00 |
Halbleiterbauelemente, Siliziumgleichrichterdioden SY 193, Technische Bedingungen |
| 45047 |
1988-12-00 |
Halbleiterbauelemente. Siliciumgleichrichterdioden SY 198. Technische Bedingungen |
| 45055 |
|
Feste Widerstände für die Anwendung in elektronischen Geräten; Technische Bedingungen |
| 45133 |
1989-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Vertikalablenk-Schaltkreis A 1670 VD, Technische Bedingungen |
| 45134 |
|
U 4541 DG |
| 45135 |
1988-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8-Bit-Analog-Digital-Wandler-Schaltkreise, C670C, C670Cn, C670CGn, C670D und C670Dn, technische Bedingungen |
| 45136 |
1988 |
SU 310 / SU 311 / SU 312 |
| 45137 |
1988 |
SU 192 |
| 45167 |
1988 |
B 3040 DA; Treiber-Sensor-Schaltkreis |
| 45223 |
1988 |
SU 382 / SU 383 / SU 384 |
| 45230 |
|
Keramische Vielschicht-Kondensatoren mit radialen Anschlussdrähten (KEVA) |
| 45231 |
1987-01-00 |
FlüssigkristallBauelemente, Flüssigkristall-Matrix-Anzeigen, FCR 30A, FCS 30A, FCT 30A, Technische Bedingungen |
| 45232 |
1988 |
U 2664 |
| 45235 |
1989-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Peripherieschaltkreis, U 82536 DC04, U 8036 DC04, Technische Bedingungen |
| 45236 |
|
U 82062 DC 05 |
| 45250 |
1988-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer 8-Bit-Teiber-Schaltkreis D4803 DC, Technische Bedingungen |
| 45279/02 |
1988-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Fotodioden, Fotodiode SP 114, Technische Bedingungen |
| 45279/03 |
1988-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Fotodioden, Optische Positionssensoren SP116, SP117, SP123, Technische Bedingungen |
| 45279/04 |
1988-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Fotodioden, Optische Positionssensoren SP119, SP121, Technische Bedingungen |
| 45279/05 |
1988-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Fotodioden, Optische Positionssensoren SP124, Technische Bedingungen |
| 45279/05 - 1. Änderung |
1989-09-05 |
Halbleiterbauelemente, Fotodioden, Optische Positionssensoren SP124, Technische Bedingungen |
| 45418 |
|
Keramische Scheibenkondesatoren der Klasse 1 und 2 sowie Nennspannungen bis 400V (Bauformen: SVA / SVO / SUA / SUO) |
| 45443 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 12-bit-Analog-Digital-Wandler-Schaltkreis U739DC, Technische Bedingungen |
| 45449 |
1988-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer PLL-Regel-Schaltkreis B290SD, Technische Bedingungen |
| 45516 |
1988-09-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA 103, VQA 203, VQA 303, Technische Bedingungen |
| 45523 |
1989-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Nullspannungsschalter-Schaltkreis, B4204DE und B4205DE, Technische Bedingungen |
| 45577 |
|
B 2960 VG |
| 45656 |
1989-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, BIFET-Operationsverstärker-Schaltkreis B411DD, Technische Bedingungen |
| 45708 |
1989 |
MQE 10 |
| 45741 |
|
L 220 C |
| 45903 |
|
U 80601 |
| 45904 |
|
U 80606 DC |
| 45906 |
|
U 80610 |
| 55055 |
1987-05-00 |
Kontaktbauelemente, Flachsteckverbinder 2-20/2,5-50,4x14,0, technische Bedingungen |
| 55099 |
1986 |
VQ 125 |
| 55100 |
1983-06-00 |
Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdioden VQ123, technische Bedingungen |
| 55104 |
1984-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdioden VQ 170, Technische Bedingungen |
| 55104 - 1. Änderung |
1987-03-16 |
Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdioden VQ 170, Technische Bedingungen |
| 55105 |
1984-04-00 |
Halbleiterbauelemente, SI-PIN-Fotodiode SP 107, Technische Bedingungen |
| 55106 |
1988-09-00 |
Halbleiterbauelemente, Fotodiode SP 109, Technische Bedingungen |
| 55108 |
1984-07-00 |
Halbleiterbauelemente, Ladungsgekoppelte Sensorzeile L133C, Technische Bedingungen |
| 55110 |
1983-07-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeigen VQE 11 bis VQE 14, Technische Bedingungen |
| 55111 |
1985-02-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeigen VQB 26 bis VQB 28, Technische Bedingungen |
| 55112 |
1983 |
SCE 307 / SCE 308 / SCE 309 |
| 55113 |
1984 |
SFE 225 |
| 55163 |
1983-09-00 |
Festkondensatoren, Polyester-Kondensatoren, zylindrisch geschützt, technische Bedingungen |
| 55164 |
|
Polystyrol-Kondensatoren, zylindrisch, zentrisch-axial; technische Bedingungen |
| Stand September 2011 |
Diese Liste wurde zusammengestellt von Wolfgang Kubiak. † |
Seitenanfang